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张小华

作品数：2 被引量：2H指数：1
供职机构：中国科学院上海技术物理研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：自然科学总论电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇自然科学总论

主题

  • 2篇碲镉汞
  • 2篇掺砷
  • 1篇电学
  • 1篇电学性质
  • 1篇载流子
  • 1篇载流子浓度
  • 1篇光谱
  • 1篇光致
  • 1篇光致发光
  • 1篇光致发光光谱
  • 1篇发光
  • 1篇发光光谱
  • 1篇砷

机构

  • 2篇中国科学院
  • 1篇华东师范大学

作者

  • 2篇褚君浩
  • 2篇张小华
  • 1篇何力
  • 1篇林铁
  • 1篇郭少令
  • 1篇陈路

传媒

  • 1篇红外
  • 1篇红外与毫米波...

年份

  • 2篇2012
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
掺砷碲镉汞的研究进展被引量：1
2012年
掺砷碲镉汞是一种用于制作p-on-n器件和实现高性能碲镉汞探测器及多色红外焦平面阵列的关键材料。对掺砷碲镉汞的相关文献进行了归纳分析。砷激活效率与退火条件及砷的浓度直接相关。对于掺砷浓度在10^(16)～10^(18)cm^(-3)范围内的碲镉汞,通过300℃/16 h和240℃/48 h两步退火可将样品前表面激活为p型材料,但汞空位的浓度相对于背面较高。样品背面靠近衬底处可能存在As_(Te)和As_(Hg)缺陷。
张小华褚君浩
关键词：砷碲镉汞
掺砷碲镉汞的光致发光光谱和电学性质被引量：1
2012年
碲镉汞的电学性能和光学性能直接决定探测器性能.对窄禁带掺砷碲镉汞进行了11～300 K的红外光致发光光谱和变温霍尔测量.对变温光致发光光谱进行了拟合分析,结果表明经通用的两步退火,样品不仅存在砷占碲位(AsTe)、汞空位(VHg)和TeHg-VHg对,还存在碲反位(TeHg).掺杂浓度越大,退火产生的TeHg-VHg对越多.变温霍尔分析进一步证明通用的两步退火后材料中存在TeHg,TeHg留在材料中使迁移率减小.
张小华陈路林铁何力郭少令褚君浩
关键词：碲镉汞光致发光载流子浓度
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