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孙艳

作品数：1 被引量：4H指数：1
供职机构：中国科学院上海技术物理研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇等离子体
  • 1篇等离子体刻蚀
  • 1篇硬X射线
  • 1篇深反应离子刻...
  • 1篇离子刻蚀
  • 1篇刻蚀
  • 1篇反应离子
  • 1篇反应离子刻蚀
  • 1篇感应耦合
  • 1篇感应耦合等离...
  • 1篇感应耦合等离...
  • 1篇高宽比
  • 1篇大高宽比
  • 1篇HSQ

机构

  • 1篇复旦大学
  • 1篇中国科学院
  • 1篇中国科学院上...

作者

  • 1篇邓彪
  • 1篇肖体乔
  • 1篇陈宜方
  • 1篇刘建朋
  • 1篇张思超
  • 1篇李欣
  • 1篇陈烁
  • 1篇孙艳

传媒

  • 1篇强激光与粒子...

年份

  • 1篇2017
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
大高宽比纳米硅立柱的感应耦合等离子体刻蚀工艺优化被引量：4
2017年
针对氢基硅倍半氧烷(hydrogen silsesquioxane,HSQ)作为深反应离子刻蚀(DRIE)掩膜形成大高宽比纳米硅立柱的工艺进行了系统研究。优化了刻蚀工艺中线圈功率、极板功率和气体流量参数,减小了横向刻蚀,使形貌垂直性得到了更好的控制,并实现了13.3μm高度和低侧壁粗糙度的垂直硅纳米柱阵列,其高宽比(高度/半高宽)达到了36。利用不同的刻蚀工艺条件得到了不同侧壁形貌以及不同尺寸、高度的硅纳米柱结构。
李欣刘建朋陈烁张思超邓彪肖体乔孙艳陈宜方
关键词：HSQ深反应离子刻蚀高宽比硬X射线
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