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蒋稳

作品数：1 被引量：3H指数：1
供职机构：四川大学更多>>
发文基金：国家教育部博士点基金国家自然科学基金更多>>
相关领域：核科学技术电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇核科学技术

主题

  • 1篇电化学
  • 1篇电化学刻蚀
  • 1篇形貌
  • 1篇探测器
  • 1篇中子
  • 1篇中子探测
  • 1篇中子探测器
  • 1篇刻蚀
  • 1篇高阻硅

机构

  • 1篇四川大学

作者

  • 1篇朱敬军
  • 1篇黄宁康
  • 1篇展长勇
  • 1篇杨斌
  • 1篇安竹
  • 1篇伍建春
  • 1篇蒋稳
  • 1篇邹宇

传媒

  • 1篇功能材料

年份

  • 1篇2013
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
腐蚀液配方对刻蚀高阻硅多孔阵列结构形貌影响的研究被引量：3
2013年
采用电化学刻蚀方法,在n型高阻单晶硅片上进行有序多孔阵列的制备。就腐蚀液配方的改变对制备的多孔阵列结构的形貌进行观察研究。研究表明,在其它相同的实验条件下,改变组元乙醇的比例,制备的多孔阵列结构形貌会有显著的差别。随着腐蚀液中组元乙醇含量的减小,制备的多孔阵列结构中的孔的表面及断面形貌逐渐显得光滑、平整。当改变腐蚀液配方中的HF浓度时,制备的多孔阵列结构中的孔的大小及深度也随之改变,对此的机制进行了探讨。
蒋稳邹宇伍建春展长勇朱敬军安竹杨斌黄宁康
关键词：中子探测器电化学刻蚀形貌
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共1页<1>
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