熊文文
- 作品数：3 被引量：4H指数：2
- 供职机构：华南师范大学物理与电信工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金广东省自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 工作气压对氩射频电感耦合等离子体模式转换的影响
- 2019年
- 采用朗格缪尔探针诊断装置测量电子能量和等离子体密度,利用发射光谱诊断装置测量发光强度,以判断实验腔室内的放电模式.结果表明:等离子体放电可以在E模式和H模式间相互转换,并且等离子体密度和发光强度随着射频功率的变化而出现反向滞后现象.当工作气压在0.36～0.42 Pa区间时,滞后现象不再发生.此外,随着工作气压的增大,E-H模转换的跳跃功率先减小而后增大,在工作气压为0.39 Pa时跳跃功率最低.射频功率越大,气体保持H模式放电所需气压的范围越大.研究结果可为实际工业生产中的气压控制提供参考依据.
- 熊文文陈俊芳王燕王勇
- 关键词：工作气压发射光谱LANGMUIR探针
- 磁控溅射ZnO薄膜及其微观结构与光电特性被引量：2
- 2016年
- 为了研究氧气与氩气的比例和溅射气压对Zn O薄膜的微观结构及光电特性的影响,在氧化铟锡(ITO)玻璃上采用射频感应耦合离子源增强磁控溅射方法镀上具有一定c轴择优取向的Zn O薄膜,用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、四探针测试仪、紫外可见分光光度计表征薄膜微观结构与光电特性。结果表明随着氧分压的增加,薄膜表面的平整度先增加后减小,沿(002)方向生长的Zn O薄膜结晶度、晶粒尺寸先增加后减小,方阻先减小后增大,晶粒尺寸、方阻等值在O2和Ar的体积流量比为15∶60时达到极值。实验中改变溅射时的气压值,发现较大的溅射气压有利于磁控溅射的进行,有利于获得纯净的Zn O薄膜,在可见光范围内有的样品平均透过率超过90%。
- 宋从政陈俊芳张有鹏王燕熊文文
- 关键词：ZNO薄膜溅射气压微观结构透过率方阻
- 氮氩流量比对磁控溅射Zn3N2薄膜微观结构的影响被引量：2
- 2018年
- 采用射频感应耦合等离子体增强磁控溅射装置在p型Si〈100〉基片上制备Zn3N2薄膜,用于研究不同氮氩流量比对薄膜结晶质量及微观结构的影响。用X射线衍射仪（XRD）、场发射扫描电子显微镜（FESEM）、原子力显微镜（AFM）和四探针测试仪表征薄膜的微观结构、表面形貌和电学特性。实验结果表明：不同氮氩流量比条件下制备的Zn3N2薄膜均为多晶态,（400）,（411）和（332）晶面生长明显。随着氮氩流量比增加,（400）晶面衍射峰逐渐增加,在3∶1时达到极值,结晶度逐渐变佳;（332）晶面衍射峰逐渐减小,结晶度随之变弱;（411）晶面则无明显变化。随氮氩流量比增加,薄膜结晶度、晶粒尺寸和表面平整度先增加后减小。氮氩流量比为2∶1时,结晶质量和表面平整度达到最佳且导电性能最好,较大的氮氩流量比有利于磁控溅射制备性能更好的Zn3N2薄膜。
- 王燕陈俊芳熊文文王勇
- 关键词：磁控溅射晶体结构微观结构
