周勇
- 作品数：5 被引量：7H指数：2
- 供职机构：中国电子科技集团公司第二十四研究所更多>>
- 发文基金：模拟集成电路重点实验室基金中国博士后科学基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 一种高PSRR无电阻带隙基准源被引量：3
- 2017年
- 设计了一种高电源抑制比(PSRR)、低温漂的无电阻带隙基准源。在传统无电阻带隙基准电压源的基础上引入反馈环路,实现了对电压的箝制,减小了沟道长度调制效应和失调电压,提高了带隙基准源的PSRR。引入正温度补偿电路,减小了带隙基准源的温度系数。采用TSMC 0.18μm CMOS工艺对电路进行了仿真。结果表明,在3 V工作电压下,在低频下带隙基准源的PSRR为-65 d B,在-25℃~125℃温度范围内的温度系数为3.72×10^(-5)/℃。
- 秦少宏胡永贵胡云斌青旭东周勇钟黎
- 关键词：反馈环路电源抑制比
- 一种0.6V CMOS基准电压源的设计
- 2017年
- 基于低压技术,利用亚阈值区MOS管代替寄生BJT管,设计了一种工作在低电源电压下的基准电压源,并对基准电压进行了温度补偿。采用TSMC 0.18μm CMOS工艺对电路进行了设计和仿真。仿真结果显示:电路正常工作的最低电源电压为0.6V,当电源在0.6~2.0V范围内变化,基准输出电压仅变化了1.75mV;在0.6V电源电压下,-20℃~125℃温度范围内,温度系数为2.8×10^(-5)/℃,电源抑制比为52.47dB@10kHz,整个电路的功耗仅为12μW。
- 胡云斌胡永贵周勇顾宇晴陈振中
- 关键词：CMOS
- 一种全MOS型超低功耗基准电压源设计被引量：1
- 2017年
- 在0.18μm标准CMOS工艺模型下,利用亚阈值MOS管以及深线性区MOS管的特性,设计了一种全MOS型基准电压源。该基准源不使用电阻,具有超低功耗、低温度系数的特点,并且可在电源电压低于1V的情况下正常工作。当电源电压为1.2V,温度范围为-55℃~125℃,该基准源的温度系数为2.67×10^(-5)/℃,电源抑制比为-45.42dB@100Hz,功耗为105.96nW。
- 周勇胡刚毅沈晓峰胡云斌顾宇晴陈遐迩
- 关键词：超低功耗低温度系数
- 一种有源零点补偿的片上LDO设计被引量：3
- 2017年
- 提出了一种新颖的有源零点补偿LDO结构,实现了LDO在全负载范围内的稳定,1~10 MHz范围内的电源抑制比提高了10dB。采用欠冲电压减小技术,显著减小了输出欠冲电压,提高了瞬态响应性能。基于SMIC 65nm CMOS工艺,设计了输出电压为1V、压差电压为200mV、最大输出电流为100mA的无片外电容LDO。仿真结果显示,空载时LDO的相位裕度为64.3°,最大过冲和欠冲电压分别为52mV和47mV,满载时LDO的电源抑制比为-66dB@10kHz。
- 胡云斌周勇胡永贵顾宇晴
- 关键词：低压差线性稳压器无片外电容电源抑制比
- 高电源抑制比低温度系数超低功耗基准电压源
- 2017年
- 在0.18μm标准CMOS工艺模型下,利用亚阈值及深线性区MOS管的特性,设计了一种新颖的偏置电流产生电路,并采用此电路设计出一种具有高电源抑制比、低温度系数的全MOS型基准电压源。该电压源采用全MOS结构,不使用电阻,功耗超低。电源电压在0.9~3V变化时,该电压源均可正常工作,输出电压约为558mV。1.2V电源电压下,在-55℃~100℃温度范围内,该电压源的温度系数为2.3×10-5/℃,低频电源抑制比为-81dB,总功耗约为127nW。
- 周勇胡云斌胡刚毅沈晓峰顾宇晴倪亚波
- 关键词：低温度系数超低功耗
