周健
- 作品数：2 被引量：18H指数：2
- 供职机构：河北大学化学与环境科学学院更多>>
- 发文基金：河北省教育厅博士基金河北大学研究基金资助更多>>
- 相关领域：电子电信化学工程更多>>
- 羟基硅油原位改性制备疏水性沉淀二氧化硅被引量：9
- 2011年
- 采用羟基硅油原位改性制备疏水性沉淀二氧化硅。红外光谱(FT-IR)分析表明,羟基硅油通过化学键接枝到二氧化硅表面。扫描电镜(SEM)分析表明,原位改性改善了沉淀二氧化硅的团聚现象,使之分散性提高,与有机基体聚丙烯树脂的相容性增大。疏水性测试表明,羟基硅油203-B和203-D的用量(羟基硅油与原料中二氧化硅的质量比)达到17.9%时,疏水度分别达到24.59%和22.17%,羟基硅油相对分子质量越小,羟基含量越高,改性效果越明显。原位改性使沉淀二氧化硅吸油率降低。
- 马志领郝学辉何佳音周健
- 关键词：沉淀二氧化硅羟基硅油原位改性疏水性
- 蓝色长余辉发光材料Sr_2MgSi_2O_7:Eu^(2+),Ln^(3+)的合成和性质被引量：9
- 2007年
- 采用凝胶-燃烧法合成了系列稀土掺杂的Sr2MgSi2O7:Eu20.+02,Ln30.+04(Ln=La,Ce,Nd,Sm,Gd,Tb,Dy,Ho,Er,Tm)蓝色长余辉发光材料,用X射线粉末衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、荧光分光光度计等对合成产物进行了分析和表征。结果表明:掺杂了不同稀土离子的Sr2MgSi2O7:Eu2+,Ln3+的晶体结构均为四方晶系结构;其激发、发射光谱的峰形、峰位基本无变化,激发光谱为一宽带,最大激发峰位于402nm处,次激发峰位于415nm处,与高温固相法制得的样品相比,激发峰发生了明显的红移;发射光谱也为一宽带,最大发射峰位于468nm附近,是由典型的Eu2+的4f5d-4f跃迁导致的,不同之处在于其激发光谱、发射光谱强度与余辉性质有所差别,其中Dy3+是最理想的共掺杂稀土离子,Sr2MgSi2O7:Eu2+,Dy3+的亮度最高、余辉时间最长,可达5h以上;而Sr2MgSi2O7:Eu2+,Sm3+的发光强度最低,余辉时间最短。
- 翟永清孟媛曹丽莉周健
- 关键词：激发光谱发射光谱长余辉
