马春兰
- 作品数:56 被引量:0H指数:0
- 供职机构:苏州科技大学更多>>
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- 相关领域:理学电子电信一般工业技术文化科学更多>>
- 钛酸钡无机钙钛矿太阳能电池材料
- 本发明公开一种钛酸钡无机钙钛矿太阳能电池材料,所述太阳能电池材料的化学式为BaTi<Sub>1‑<I>x‑y</I></Sub>Co<Sub><I>x</I></Sub>Pd<Sub><I>y</I></Sub>O<Su...
- 马春兰朱冯张叶陈高远张加永葛丽娟蒯家靖
- 文献传递
- 碳纳米管的壁数调控方法、单壁碳纳米管及其制备方法
- 本发明公开了一种碳纳米管的壁数调控方法、单壁碳纳米管及其制备方法。所述调控方法包括:使壁数为多个的第一碳纳米管与刻蚀剂接触,并施加第一电流产生第一瞬态高温,以使至少最外层管壁在第一瞬态高温的作用下被刻蚀剂刻蚀而去除,获得...
- 邹菁云马春兰
- 电场调节TMDCs及其异质结能带研究进展
- 2021年
- 过渡金属硫化物(TMDCs)是一种受到国内外学者广泛关注的新型二维材料,尤其是它与一些二维层状材料构成的异质结进一步拓展了其在新型光电器件领域的应用。本文综述了近几年通过第一性原理方法研究外电场对单层及双层TMDCs(MoS2,MoSe2,MoTe2,WS2)、两种或者多种TMDCs组建的异质结、TMDCs与BNC型二维层状材料(g-C3N4、g-C2N、BC3和C3N)组建的异质结、TMDCs与石墨烯组建的异质结等材料体系的能带特性的影响。研究表明适当的外电场可以有效地调控TMDCs材料及其异质结的能带结构、自旋极化以及电荷转移,从而使得TMDCs材料及其异质结在光电器件领域有着重要的应用。
- 高贝朱冯蒯家靖马春兰
- 关键词:异质结第一性原理外电场
- 一种自动控制时长间歇搅拌器
- 本发明涉及一种自动控制时长间歇搅拌器。该电路主要由可调短时搅拌电路、长延时电路和清零电路组成。并按事先预置的时间以搅拌与停止的方式自动循环。可实现搅拌时间和停止时间精确可调,用于化学结晶过程控制晶粒大小及提高纯度。
- 宋晓辉马春兰殷明
- 文献传递
- 反铁磁CrS_(2)到铁磁MoSe_(2)/CrS_(2)磁性转变研究
- 2022年
- 通过第一性原理研究了二维单层CrS_(2)与双层CrS_(2)/MoSe_(2)体系的原子结构和磁性结构.利用广义布洛赫条件计算了自旋螺旋的能量与自旋螺旋波矢之间的色散关系E(q),并通过海森堡模型拟合该曲线,分别得到了单层CrS_(2)体系和CrS_(2)/MoSe_(2)双层体系的多近邻海森堡作用(HBI)参数J1–J6.然后通过拟合得到的HBI参数作出全布里渊区的E(q).研究发现,非磁性单层MoSe_(2)与单层CrS_(2)形成异质结后改变了单层CrS_(2)的磁性结构,使其从层内反铁磁排布转变成层内铁磁排布.MoSe_(2)层使得Cr原子的态密度更延展,并且CrS_(2)/MoSe_(2)中电子气从金属性的CrS_(2)转移到半导体的MoSe_(2)中,这导致CrS_(2)中反铁磁作用的RKKY相互作用的减小,最终使得CrS_(2)/MoSe_(2)呈现铁磁性.本文为更好地探索二维磁性材料的各种相互作用机制,如双交换、超交换和RKKY交换,设计、寻找高居里温度磁性材料和分析各种二维磁性体系奠定了一定的基础.
- 蒋宇黄灿黄灿潘燕飞樊济宇马春兰
- 关键词:第一性原理HBI
- 多模态成像探针的制备方法
- 本发明公开一种多模态成像探针的制备方法,包括以下步骤:取20重量份黑磷单晶放入玛瑙研钵中研磨,直至晶体呈粉状;将研磨后的黑磷粉末放入容器中,加入20000~40000重量份去离子水,搅拌均匀后密封,将黑磷溶液放入超声波清...
- 吴淑毅钱睿琳吴毅杰马春兰
- 文献传递
- 基于烷烃硫醇的单分子晶体管
- 我们用第一性原理方法研究了基于氨基硫醇的单分子结中电子的输运性质。计算表明,氨基取代的丁烷硫醇分子结中电导能够显著地被源-漏偏压(VSD)和门电压(VG)所调控,意味着该分子结很有希望用作场效应晶体管的替代品。我们通过态...
- 马春兰
- 关键词:分子晶体管第一性原理
- 文献传递
- 高速率光孤子通信装置
- 本实用新型公开一种高速率光孤子通信装置,其光纤传输单元进一步包括依次串联连接的第二光放大器、第二耦合器、第一增益光纤、第三光放大器和第二增益光纤,此第一增益光纤和第二增益光纤均进一步包括位于中心的增益介质纤芯,此增益介质...
- 葛丽娟戴璐马春兰毛红敏
- 文献传递
- 多自由度调控强关联氧化物的磁光电特性
- 马春兰樊济宇马锡英朱岩王晓
- 强关联体系中,电子、自旋、轨道、晶格等多个自由度强烈耦合,因而外延应变、静水压、掺杂等各种手段很容易调控其物理性质。
该项目采用多种自由度调控强关联氧化物的电子结构、磁性质、磁电性质及光电性质。重点研究了外延应变、双轴...
- 关键词:
- 关键词:半导体材料电子器件
- 探测隧穿电离电子初始横向位置的方法
- 本发明涉及一种探测隧穿电离电子初始横向位置的方法,包括使用激光场电离分子,获得激光场偏振方向与分子的排列方向呈零角度的第一光电子动量谱和呈非零角度的第二光电子动量谱;根据第一光电子动量谱和第二光电子动量谱得到分子与激光场...
- 谭佳谢佳凌郝翔吴泉英马春兰孙文卿