蓝芳
- 作品数:3 被引量:12H指数:1
- 供职机构:四川大学化学工程学院更多>>
- 发文基金:国家自然科学基金更多>>
- 相关领域:理学化学工程电子电信更多>>
- PVB掺杂有机无机复合SiO2增透膜的制备和表征被引量:11
- 2008年
- 以聚乙烯醇缩丁醛(PVB)为有机掺杂剂,正硅酸乙酯为前驱体,氨水为催化剂,利用溶胶-凝胶法制备出了一种新型的有机无机复合二氧化硅增透膜。采用红外光谱、X射线衍射、粒度分析、紫外分光光度法、椭偏测定、原子力显微镜、静滴接触角测量等对膜层性质进行了表征。结果表明:PVB分子的引入并没有引起增透膜结构的变化。在相同的实验条件下,未经PVB掺杂的SiO2增透膜在720 nm处的峰值透过率为99.8%,而PVB掺杂后的SiO2复合膜在840 nm处的峰值透过率在99.9%以上。掺杂膜层变厚,峰值透过率朝长波方向移动。掺杂前后增透膜对水的接触角从29°增加到71°,膜层的疏水性得到明显提高。
- 曹聪蕊蓝芳陈宁张清华江波
- 关键词:PVB透过率疏水性
- 甲基三乙氧基硅烷修饰的Ti^(3+)/SiO_2复合薄膜的发光性能
- 2008年
- 采用溶胶-凝胶(Sol-Gel)法,以正硅酸乙酯(TEOS)和甲基三乙氧基硅烷(MTES)为先驱物,盐酸为催化剂,用二步水解法制备了Ti3+/SiO2薄膜和甲基三乙氧基硅烷修饰的Ti3+/SiO2复合薄膜.采用红外光谱仪、X射线衍射仪、椭偏仪、荧光光谱仪等对膜层性质进行了分析.结果表明,掺杂Ti3+的SiO2薄膜分别在250 nm附近有一弱的激发峰,294 nm附近有一强的激发峰,在393 nm附近出现一强的发射峰.IR光谱发现,MTES修饰的Ti3+/SiO2复合薄膜的Si—OH的吸收峰强度比Ti3+/SiO2薄膜的略减小,Si—O—Si的吸收峰明显增强,表明复合薄膜硅氧网络结构更规则,有利于Ti3+的均匀分散.Ti3+/SiO2薄膜与复合薄膜的孔隙率分别为13.64%和6.66%,表明MTES的加入使薄膜更致密.在空气中陈放30 d后,Ti3+/SiO2薄膜已经检测不到荧光发射峰,而MTES修饰的Ti3+/SiO2复合薄膜荧光强度只下降了18%.在氮气中陈放30 d后,普通薄膜与复合薄膜的荧光强度均仅下降了10%.表明Ti3+的荧光猝灭的主要原因是由于Ti3+被氧化造成的.溶胶中加入MTES后,薄膜表面结构得到改善,有效地防止了Ti3+的氧化,荧光强度更稳定.
- 蓝芳曹聪蕊肖波蒋晓东袁晓东江波
- 关键词:三氯化钛甲基三乙氧基硅烷二氧化硅薄膜溶胶-凝胶发光性能
- Ti^(3+)掺杂SiO_2/甲基三乙氧基硅烷复合薄膜的制备被引量:1
- 2008年
- 采用溶胶-凝胶(sol-gel)法,以正硅酸乙酯TEOS/甲基三乙氧基硅烷(MTES)为先驱物,浓盐酸为催化剂,制备了掺杂不同三氯化钛(TiCl3)浓度的SiO2/MTES复合薄膜。采用荧光分光光度计、扫描探针显微镜、红外光谱仪、X光衍射仪等仪器对膜层性质进行了分析。结果表明,掺杂4%、3%、2%、1%TiCl3的SiO2/MTES复合薄膜分别在250nm附近有一弱激发峰,294nm附近有一强激发峰,在393nm附近出现一强发射峰;掺杂3%的复合薄膜荧光发射强度达到值最大。与Ti3+掺杂的常规SiO2薄膜比较,Ti3+掺杂的SiO2/MTES复合薄膜的荧光强度更稳定。
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- 关键词:三氯化钛甲基三乙氧基硅烷溶胶-凝胶