王凤涛
- 作品数：6 被引量：3H指数：1
- 供职机构：北京京东方光电科技有限公司更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术更多>>
- 一种显示基板及其制作方法、显示装置
- 本发明提供了一种显示基板及其制作方法、显示装置，属于显示技术领域。其中，显示基板的制作方法，包括形成绝缘层的步骤和在所述绝缘层上形成第二透明导电层的图形的步骤，所述第二透明导电层的图形包括位于显示区域的多个间隔设置的子电...
- 张家祥王凤涛王彦强
- 文献传递
- TFT-LCD器件Al电极TFT特性研究被引量：3
- 2017年
- 本文对Mo/Al/Mo作为TFT-LCD器件源/漏极的TFT特性进行了研究。与单层Mo相比,存在沟道界面粗糙,I_(off)偏大问题,通过优化膜层结构,改善界面状态,得到了平整的沟道界面和良好的TFT特性。增加Bottom Mo的厚度,可以有效减少Al的渗透,防止Al-Si化合物的形成,得到界面平整的沟道;N^+刻蚀后SF6处理对特性影响不大,增加刻蚀时间可以使I_(on)和I_(off)同时降低;PVX沉积前处理气体N_2+NH_3与H_2区别不大,都可以减少沟道缺陷,而增加H_2处理时间会增强等离子的轰击作用,减少了沟道表面Al-Si化合物,但处理时间过长可能会使沟道缺陷增加;采用bottom Mo加厚,N^+刻蚀以及PVX沉积前处理等最优条件,可以得到沟道界面良好,TFT特性与单层Mo相当的TFT器件。
- 张家祥王彦强卢凯张文余王凤涛冀新友王亮张洁王琪刘琨李良杰李京鹏
- 关键词：漏电流AL电极
- 一种显示基板及其制作方法、显示装置
- 本发明提供了一种显示基板及其制作方法、显示装置，属于显示技术领域。其中，显示基板的制作方法，包括形成绝缘层的步骤和在所述绝缘层上形成第二透明导电层的图形的步骤，所述第二透明导电层的图形包括位于显示区域的多个间隔设置的子电...
- 张家祥王凤涛王彦强
- 文献传递
- 电子纸的2W2D工艺改善研究
- 2020年
- 在电子纸行业中,为了减少光刻次数、降低成本,部分产品的TFT基板会采用半色调掩膜工艺,传统的一次湿刻一次干刻(1W1D)方法要求半色调掩膜光刻胶厚度与均一性同时满足较高要求,管控难度大,导致曝光多次返工浪费产能;而且,1W1D的刻蚀均一性很差,使玻璃四周沟道a-Si过薄,影响良率。为了改善这两方面的问题,我们参考了非电子纸产品的两次湿刻两次干刻(2W2D)工艺。然而非电子纸的2W2D工艺会产生较长的a-Si拖尾现象,导致较大的寄生电容,造成良率损失;此外,a-Si残留和沟道特性问题也阻碍了电子纸良率的进一步提升。因此,我们通过降低两次湿刻时间,改善灰化条件,减小a-Si拖尾长度;建立a-Si处理工序,消除a-Si残留;调整a-Si成膜条件和钝化层成膜前处理条件,改善沟道特性。实验结果表明:采用改善后的2W2D工艺可以完全满足电子纸的特性要求,并且相比于1W1D方法,得到的沟道厚度均一性提升50%,阵列检测良率提升4%~10%;同时无需管控半色调掩膜光刻胶的均一性,仅满足光刻胶厚度的管控要求即可,使曝光返工比例降低60%。改善后的2W2D工艺有效改善了电子纸产品的沟道特性与刻蚀均一性,提升了产品良率,减少了产能浪费,降低了成本,对4次光刻电子纸产品具有重要指导意义。
- 佟月佟硕王凤涛曹洪韬刘艳葵耿红帅李森张鹏曲卢凯孙亮张磊陈思王威
- 关键词：电子纸
- 氮化硅介电层的处理方法、薄膜晶体管和显示装置
- 本发明提供一种氮化硅介电层的处理方法、防止半导体结构异常放电的方法、薄膜晶体管和显示装置，氮化硅介电层的处理方法包括对所述氮化硅介电层进行深紫外光照射，其中，在所述深紫外光照射前，对所述氮化硅介电层进行掺杂。通过采用人为...
- 毛元杰王凤涛卢凯李京鹏
- 文献传递
- 氮化硅介电层的处理方法、薄膜晶体管和显示装置
- 本发明提供一种氮化硅介电层的处理方法、防止半导体结构异常放电的方法、薄膜晶体管和显示装置，氮化硅介电层的处理方法包括对所述氮化硅介电层进行深紫外光照射，其中，在所述深紫外光照射前，对所述氮化硅介电层进行掺杂。通过采用人为...
- 毛元杰王凤涛卢凯李京鹏
- 文献传递
