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杨冬平
作品数:
1
被引量:8
H指数:1
供职机构:
南京航空航天大学自动化学院
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发文基金:
中国航空科学基金
国家重点基础研究发展计划
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相关领域:
电气工程
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合作作者
王莉
南京航空航天大学自动化学院
江登宇
南京航空航天大学自动化学院
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南京航空航天...
作者
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江登宇
1篇
王莉
1篇
杨冬平
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电力系统及其...
年份
1篇
2010
共
1
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降栅压技术在MOSFET驱动中的应用
被引量:8
2010年
为在短路发生时有效保护金属氧化物半导体场效应管(metal oxide semiconductor field effect transistor),在60V/10A固态功率控制器的驱动电路中,设计降栅压短路保护。通过与MOSFET反串的二极管检测短路故障,一旦发生短路,启动短路保护电路,快速降低MOSFET栅源极电压至其开启电压附近,以增大MOSFET漏源极电阻并使其可控,设计电容放电时间,即可按一定速度关断功率管。仿真和实验结果表明,降栅压短路保护技术能在短路发生时迅速关断MOSFET并在关断过程中起到限流、抑制di/dt、增强抗干扰的作用。
杨冬平
王莉
江登宇
关键词:
金属氧化物半导体场效应管
固态功率控制器
短路保护
驱动电路
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