左青云
- 作品数：1 被引量：4H指数：1
- 供职机构：华南理工大学电子与信息学院更多>>
- 发文基金：广东省自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 聚3-己基噻吩聚合物薄膜晶体管的稳定性被引量：4
- 2010年
- 为提高聚合物薄膜晶体管的稳定性,以单晶硅为衬底,二氧化硅为栅介质层,聚3-己基噻吩(P3HT)薄膜为半导体活性层,金属Au为源、漏电极,制备出聚合物薄膜晶体管(PTFT),对该器件的电特性进行了表征,研究了该器件在空气环境下的稳定性,并对该器件在空气中的不稳定性机理进行了讨论.结果表明:当器件暴露在空气中时,随着暴露时间的增加,器件的饱和漏电流明显增大,阈值电压逐渐增加;空气中的水是影响器件特性的主要因素;通过采用光刻胶钝化处理可以有效地改善P3HT-PTFT器件在空气中的稳定性,并使器件的载流子迁移率提高3倍.
- 刘玉荣左青云彭俊彪黄美浅
- 关键词：薄膜晶体管稳定性钝化
