王金普 作品数:5 被引量:24 H指数:4 供职机构: 安徽工业大学化学与化工学院 更多>> 发文基金: 国家自然科学基金 安徽省高校省级自然科学研究项目 更多>> 相关领域: 金属学及工艺 机械工程 电子电信 化学工程 更多>>
A向蓝宝石化学机械抛光研究 被引量:8 2016年 以纳米氧化铝为磨料对A向蓝宝石进行化学机械抛光,实验中考察了磨料浓度、磨料粒径、抛光时间、抛光压力以及NH4F浓度等因素对A向蓝宝石的材料去除速率和表面粗糙度的影响。利用原子力显微镜(AFM)检测抛光后A向蓝宝石的表面粗糙度,系统分析抛光过程中各影响因素,优化实验条件,结果表明:当抛光液中磨料质量分数为1%、磨料粒度尺寸为50nm、抛光时间为40min、抛光压力为16.39kPa、NH4F质量分数为0.6%、pH=4.0时,抛光后材料去除速率(MRR)为18.2nm/min,表面粗糙度值Ra22.3nm,抛光效果最好。 王金普 白林山 储向峰关键词:化学机械抛光 氟化铵 表面粗糙度 硬盘微晶玻璃基板化学机械抛光研究 被引量:4 2015年 利用自制的抛光液对硬盘微晶玻璃基板进行化学机械抛光。研究了抛光压力、SiO2浓度、pH和氧化剂过硫酸铵浓度等因素对材料去除速率MRR和表面粗糙度Ra的影响,系统分析了微晶玻璃抛光工艺过程中的影响因素,优化抛光工艺条件,利用原子力显微镜检测抛光后微晶玻璃的表面粗糙度。结果表明:当抛光盘转速为100 r/min、抛光液流量为25 m L/min、抛光压力为9.4 k Pa、SiO2浓度为8wt%、pH=8、过硫酸铵浓度为2wt%时,能够得到较高的去除速率(MRR=86.2 nm/min)和较低表面粗糙度(Ra=0.1 nm)。 王金普 白林山 储向峰关键词:微晶玻璃 化学机械抛光 表面粗糙度 材料去除率 添加剂对微晶玻璃化学机械抛光的影响 被引量:5 2017年 利用自制抛光液对微晶玻璃进行化学机械抛光,研究络合剂、氧化剂、润滑剂种类及添加量对微晶玻璃化学机械抛光材料去除速率和表面粗糙度的影响。结果表明:抛光液中加入质量分数0.2%的EDTA络合剂后,能大幅降低材料表面粗糙度;加入质量分数2%的过硫酸铵氧化剂后能得到较光滑的材料表面和较高的材料去除速率;加入质量分数为0.2%的丙三醇润滑剂后能降低材料表面粗糙度。将EDTA络合剂、过硫酸铵氧化剂丙、三醇润滑剂加入SiO_2抛光液中对微晶玻璃进行化学机械抛光,利用原子力显微镜观察抛光微晶玻璃抛光前后的表面形貌。结果表明,抛光后微晶玻璃表面极为平整,达到了0.12 nm的纳米级光滑表面,且材料去除速率达到72.8 nm/min。 白林山 王金普 储向峰关键词:微晶玻璃 化学机械抛光 络合剂 氧化剂 润滑剂 二氧化铈抛光液化学机械抛光微晶玻璃的机理及优化 被引量:4 2017年 以纳米CeO_2为磨料自制抛光液,研究磨料质量分数、pH值、抛光液流量、抛光盘转速、表面活性剂种类和氟化铵质量分数等因素对微晶玻璃化学机械抛光的影响,分析总结CeO_2在微晶玻璃化学机械抛光中的作用机理,利用原子力显微镜(AFM)检测微晶玻璃抛光后的表面粗糙度。结果表明:当CeO_2质量分数为3%、抛光液流量为25mL/min、抛光盘转速为100r/min、pH=8.0、十二烷基硫酸钠质量分数为0.01%,氟化铵质量分数为0.7%时,抛光后微晶玻璃表面粗糙度(Ra)最低为0.72nm,材料去除速率达到180.91nm/min。 白林山 王金普 储向峰关键词:二氧化铈 微晶玻璃 化学机械抛光 不同磨料对微晶玻璃化学机械抛光的影响 被引量:3 2015年 为了提高微晶玻璃化学机械抛光(CMP)的材料去除速率(MRR),降低其表面粗糙度,利用自制的抛光液对微晶玻璃进行化学机械抛光,研究了4种含不同磨料(Si O2、Al2O3、Fe2O3、Ce O2)的抛光液对微晶玻璃化学机械抛光MRR和表面粗糙度的影响.利用纳米粒度仪检测抛光液中磨料的粒径分布和Zeta电位,利用原子力显微镜观察微晶玻璃抛光前后的表面形貌.实验结果表明,在相同条件下,采用Ce O2作为磨料进行化学机械抛光时可以获得最好的表面质量,抛光后材料的表面粗糙度Ra=0.4 nm,MRR=100.4 nm/min.进一步研究了抛光液中不同质量分数的Ce O2磨料对微晶玻璃化学机械抛光的影响,结果表明,当抛光液中Ce O2质量分数为7%时,最高MRR达到185 nm/min,表面粗糙度Ra=1.9 nm;而当抛光液中Ce O2质量分数为5%时,MRR=100.4 nm/min,表面粗糙度最低Ra=0.4 nm.Ce O2磨料抛光后的微晶玻璃能获得较低表面粗糙度和较高MRR. 王金普 白林山 储向峰关键词:微晶玻璃 化学机械抛光 表面粗糙度 磨料