杨柏梁
- 作品数：10 被引量：67H指数：4
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- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 中小尺寸液晶显示器在便携式设备中的应用
- 2000年
- 近几年,由于便携式设备市场的快速增长,有效地刺激了中小尺寸LCD产品的发展.伴随着信息与数字时代的到来,以移动电话和PDA为代表的便携式信息终端正逐步进入人们日常生活和工作中,充当起愈来愈重要的角色.中小尺寸LCD显示产品和技术面临着重大发展机遇.……
- 王庆兵杨柏梁
- 一种新型单偏振片反射式液晶显示器的设计被引量：1
- 2000年
- 提出一种新型单偏振片反射式液晶显示器的设计方案。采用共面转换模式并在液晶和反射板之间加入四分之一光延迟膜。通过使用参数空间表示法优化选择器件参数 ,获得了高反射率、低色散和宽视角的常白、常黑反射式显示模式。
- 朱新羽荆海杨柏梁杨柏梁宣丽黄锡珉
- 关键词：反射率
- 源漏轻掺杂结构多晶硅薄膜晶体管模拟研究被引量：3
- 2001年
- 采用同型结模型模拟计算了源漏轻掺杂结构的关态漏极电流 ,同时考虑热电子效应修正漏极电流模拟结果 ,使漏极电流降低到 1 0 - 11A量级 ,晶体管的开关电流比值达到 1 0 6量级。模拟研究掺杂区浓度和宽度与多晶硅薄膜晶体管开关电流比的变化关系。
- 纪世阳李牧菊杨柏梁
- 关键词：多晶硅薄膜晶体管热电子漏电流
- 低阻高透过率ITO薄膜的制备与性能被引量：19
- 1999年
- 研究了直流磁控溅射法制备的ＩＴＯ薄膜的光电特性与溅射工艺参数的关系以及退火处理对ＩＴＯ薄膜光电特性的影响。在低衬底温度、低溅射功率下获得了优质的ＩＴＯ薄膜，可见光透过率高于８５％，在厚度为１００ｎｍ时其方块电阻在１５０～２００Ω／□之间，并且ＩＴＯ薄膜的制备工艺完全与ＡＭＬＣＤ中ＴＦＴ器件的制作工艺兼容。
- 王刚王刚王刚杨柏梁黄锡珉
- 关键词：直流磁控溅射TIO透过率真空退火
- TFT工艺中的反应性离子刻蚀被引量：1
- 1999年
- 对ＴＦＴ器件工艺中的反应性离子刻蚀技术进行了研究，给出了ＴＦＴ器件工艺中常见薄膜刻蚀速率的实验结果，并讨论了掺杂气体（如Ｈ２、Ａｒ等）对刻蚀速率的影响。
- 柳江虹袁剑峰杨柏梁杨柏梁马凯
- 关键词：反应性离子刻蚀选择比薄膜半导体
- 金属诱导法低温多晶硅薄膜的制备与研究被引量：6
- 2000年
- 利用金属诱导晶化 (Metal Induced Crystallization,MIC)的方法研究了 a- Si/Ni的低温晶化 ,MIC的晶化温度降低到 440℃。采用 XRD、Raman、SEM和 XPS等手段研究了 Ni-MIC多晶硅薄膜的特性 ,分析了薄膜结构和组成 ,讨论了晶化过程的机理。
- 刘传珍杨柏梁杨柏梁张玉张玉李牧菊吴渊廖燕平廖燕平黄锡珉
- 关键词：晶化多晶硅薄膜退火
- TFT阵列金属电极的制备与性能被引量：4
- 2000年
- 利用磁控溅射的方法制备了 Cr、Ta、Al、Mo、Mo W等金属薄膜 ,采用 XRD、SEM、四探针法等分析手段分析了薄膜的性能。讨论了衬底温度、反应气压、溅射功率、气体流量等因素对薄膜质量的影响 ,得到了制作 TFT器件中优质金属电极的工艺参数。
- 王大海杨柏梁吴渊刘传珍李牧菊李轶华张玉廖燕平
- 关键词：磁控溅射金属薄膜金属电极
- 激光退火法低温制备多晶硅薄膜的研究被引量：25
- 2000年
- 利用激光退火的方式在低温下制备多晶硅薄膜，采用ＸＲＤ、ＳＥＭ等分析手段，进行了表征与分析，对晶化的阈值能量密度进行了计算，并对激光退火的机理进行了探讨。研究结果表明：ａ－Ｓｉ晶化的阈值能量密度与薄膜的厚度无关，在晶化区内，晶粒尺寸的大小随着照射到薄膜表面的激光能量密度的增加而增加。
- 刘传珍杨柏梁李牧菊吴渊张玉张玉邱法斌邱法斌
- 关键词：激光退火能量密度多晶硅薄膜
- 光控取向弱锚定表面的液晶分子排列被引量：11
- 2000年
- 研究了光敏聚酰亚胺ＰＩ（ＢＴＤＡ－ＴＭＭＤＡ）用于液晶取向时的弱锚定边界特性。实验测得了两基板皆为摩擦取向层扭曲向列液晶显示器件（ＤＲ－ＴＮ－ＬＣＤ）及两基板皆为光控取向层的扭曲向列液晶显示器件（ＤＬＰＰ－ＴＮ－ＬＣＤ）的电光特性和时间响应特性曲线。研究了液晶排列的稳定性，讨论了液晶分子在光控取向弱锚定表面上的排列机理。
- 梁兆颜宣丽杨柏梁杨柏梁杨柏梁
- 关键词：液晶光控取向分子排列
- 低阻α-Ta栅电极材料的制备与研究被引量：2
- 2000年
- 研究了溅射Ｔａ膜的电学和结构特性与Ｎ２气分压的关系，并确定了电学性能稳定的低阻α－Ｔａ薄膜（电阻率３４μΩ·ｃｍ）的制备工艺条件。
- 王刚杨柏梁杨柏梁赵超黄锡珉
- 关键词：X射线衍射方块电阻
