您的位置： 专家智库 > >

李波

作品数：1 被引量：0H指数：0
供职机构：西北工业大学材料学院凝固技术国家重点实验室更多>>
发文基金：中国航空科学基金国家自然科学基金更多>>
相关领域：理学金属学及工艺更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇理学

主题

  • 1篇SI
  • 1篇场致发射

机构

  • 1篇西北工业大学

作者

  • 1篇崔春娟
  • 1篇傅恒志
  • 1篇刘林
  • 1篇李波
  • 1篇张军

传媒

  • 1篇功能材料

年份

  • 1篇2007
共 1 条 记 录，以下是 1-1
全选 清除 导出
排序方式：
Si-TaSi_2场发射阴极阵列制备工艺的研究
2007年
Si-TaSi2共晶自生复合材料由于具有较低的功函数、良好的电传输特性和自生三维肖特基结等特点，被认为是具有良好应用前景的场致发射材料之一。依据选择性腐蚀的原理，把电子束区熔技术制备的Si—TaSi2共晶自生复合材料制作为Si—TaSi2场发射阴极阵列。对影响选择性腐蚀工艺的两个因素：腐蚀时间和腐蚀液配比进行了系统的研究。研究表明，随着腐蚀时间的延长，TaSi2尖锥的曲率半径减小，长径比增大；制备Si-TaSi2场发射阴极阵列的最佳腐蚀液配比是浓硝酸和浓氢氟酸的体积比v（HNO3）：v（HF）=4：1，最佳的腐蚀时间是20～30min。采用透明阳极法对制备的Si—TaSi2阴极阵列进行了场发射性能的测试，结果表明该腐蚀工艺制作的Si—TaSi2阴极阵列有较好的场发射性能。
崔春娟张军李波刘林傅恒志
关键词：场致发射
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0