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李剑

作品数:5 被引量:10H指数:2
供职机构:上海理工大学理学院更多>>
发文基金:上海市教育委员会创新基金更多>>
相关领域:一般工业技术理学更多>>

文献类型

  • 5篇中文期刊文章

领域

  • 4篇一般工业技术
  • 2篇理学

主题

  • 2篇导电薄膜
  • 2篇透明导电
  • 2篇透明导电薄膜
  • 2篇纳米
  • 2篇ZNO
  • 2篇场发射
  • 1篇电子束
  • 1篇多层膜
  • 1篇阴极
  • 1篇在场
  • 1篇蒸发制备
  • 1篇织构
  • 1篇石墨
  • 1篇石墨烯
  • 1篇碳纳米管
  • 1篇碳纳米管复合
  • 1篇碳纳米管复合...
  • 1篇退火
  • 1篇退火温度
  • 1篇纳米ZNO

机构

  • 5篇上海理工大学

作者

  • 5篇王丽军
  • 5篇王小平
  • 5篇李剑
  • 4篇文俊伟
  • 4篇于颖
  • 2篇孙义清
  • 1篇王金烨
  • 1篇孙洪涛

传媒

  • 2篇材料导报
  • 2篇材料科学与工...
  • 1篇功能材料

年份

  • 1篇2016
  • 4篇2015
5 条 记 录,以下是 1-5
排序方式:
碳纳米管复合材料场发射性能研究现状被引量:2
2016年
碳纳米管具有管径小、长径比高的结构以及物理化学性能稳定等优良特性,被认为是真空冷阴极场发射电子源和场发射平板显示理想的阴极材料。加之碳纳米管兼具有机械强度高、韧性好等出众的力学性能,使其成为复合材料的理想添加相,将其与其他材料复合,可以制备出具有更加出众性能的复合材料。近年来有关碳纳米管及其复合材料场发射研究已成为一个备受关注的热点。概述了阴极场发射理论以及与碳纳米管场发射相关的几种场发射物理机制,介绍了碳纳米管复合场发射阴极的研究现状及制备方法,最后对碳纳米管复合阴极场发射的发展前景进行了展望。
于颖王丽军刘凌宏李剑文俊伟王小平
关键词:碳纳米管场发射碳纳米管复合材料
退火温度对ZnO/Mo/ZnO透明导电薄膜结构及光电性能的影响被引量:4
2015年
采用电子束蒸发法成功制备了透明导电的ZnO/Mo/ZnO(ZMZ)复合薄膜,研究了不同的退火温度对其电学和光学性质的影响规律。利用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、X射线能谱仪、紫外可见分光光度计和四探针测试仪等检测手段对样品的性能进行了分析。实验结果表明:随着退火温度的升高,薄膜的结晶程度提高,晶粒尺寸增大;薄膜的电阻率先降低后升高;薄膜的光学透过率先升高后降低。当退火温度为250℃时,ZnO/Mo/ZnO薄膜具有最佳的综合光电性能,在400nm^900nm波长范围内最高透过率为81.4%,平均透过率高于80%,最低电阻率为1.71×10-4Ω·cm,表面电阻为15.5Ω/sq。研究表明所制备的ZMZ复合透明导电薄膜可应用于太阳能电池、液晶显示器等领域。
孙洪涛王小平王丽军王金烨孙义清李剑文俊伟刘凌鸿于颖
关键词:透明导电薄膜多层膜光电性能
p型ZnO薄膜的研究进展
2015年
ZnO材料以其优良的光电特性和相对低廉的成本而倍受人们的青睐,但是要获得高质量的p型ZnO薄膜难度极大,这已成为阻碍ZnO基光电器件走向实用化的主要障碍。综述了p型ZnO薄膜掺杂面临的困难、p型ZnO掺杂理论进展及实现p型ZnO薄膜的各种掺杂方法,并对p型ZnO薄膜的各种制备工艺方法进行了概括和比较,最后指出了提高p型ZnO薄膜质量的努力方向。
文俊伟王小平王丽军李剑刘凌鸿于颖
关键词:ZNO薄膜掺杂
石墨烯在场发射器件中的应用与研究现状被引量:4
2015年
场电子发射是一种独特的量子隧穿效应,也是真空微电子学的基础之一。基于场发射技术的冷阴极发射体一直被视为未来理想的电子发射阴极。石墨烯是一种具备单层碳原子结构的新型碳材料,其电子迁移率高、机械强度高、热导率高,具有稳定的物理化学特性,因此受到科研工作者的广泛关注。与此同时石墨烯具有较高的长径比(横向尺寸与厚度的比值),这一结构特性能够获得较大的场增强因子。石墨烯的上述特性使得其成为具有广阔应用前景的场发射阴极。本文主要综述石墨烯场发射理论的研究进展、石墨烯/石墨烯基场发射阴极的研究现状、场发射阴极结构以及场发射阴极的制备方法,并对场发射领域的石墨烯研究进行了展望。
李剑王小平王丽军文俊伟于颖刘凌鸿
关键词:石墨烯场发射复合阴极
电子束蒸发制备织构状纳米ZnO∶Al及其光电性能研究
2015年
采用真空电子束蒸发沉积设备在不同温度下(350-400 ℃)直接在玻璃基底上一次性生长400nm厚的织构状纳米掺铝ZnO 薄膜.研究了不同的基底温度对掺铝ZnO 薄膜的结构、电学性质以及光学性质的影响. 研究发现,其光学透过率在390-1100nm的整个波段都超过87%,在580-1100nm光谱范围内光学透过率超过93%. 当沉积温度为380℃时,掺铝ZnO 薄膜的电阻率最低,其值可达1.2×10^-4 Ω·cm.
王丽军孙义清李剑王小平
关键词:透明导电薄膜
共1页<1>
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