您的位置： 专家智库 > >

韦健华

作品数：1 被引量：2H指数：1
供职机构：深圳大学光电工程学院光电子器件与系统教育部重点实验室更多>>
发文基金：国家自然科学基金深圳市科技计划项目更多>>
相关领域：理学电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 1篇蓝宝
  • 1篇蓝宝石
  • 1篇蓝宝石衬底
  • 1篇GAN
  • 1篇表面处理
  • 1篇衬底

机构

  • 1篇深圳大学

作者

  • 1篇彭冬生
  • 1篇韦健华
  • 1篇金柯
  • 1篇董发

传媒

  • 1篇压电与声光

年份

  • 1篇2011
共 1 条 记 录，以下是 1-1
全选 清除 导出
排序方式：
表面处理对蓝宝石衬底的影响被引量：2
2011年
采用熔融的KOH溶液腐蚀蓝宝石衬底,获得具有三角形图案的腐蚀坑形貌,并对腐蚀坑的三角形形状给出了理论解释。在不同温度和不同的腐蚀时间进行对比结果分析,发现在280℃下腐蚀60 min左右,显示的位错清晰、准确,且最适合随后的横向外延生长。采用高分辨率双晶X线衍射(DCXRD)测试分析,结果表明,预处理对蓝宝石衬底的晶体质量和折射率色散关系几乎没影响,所以,预处理获得一定图案的蓝宝石可作为GaN横向外延的衬底,为降低GaN薄膜的位错密度,获得高质量的GaN薄膜提供有利的保障。
彭冬生董发韦健华金柯
关键词：蓝宝石衬底表面处理GAN
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0