郝帅
- 作品数：17 被引量：15H指数：3
- 供职机构：北京工业大学更多>>
- 发文基金：北京市自然科学基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术环境科学与工程更多>>
- GaAs基大功率激光器静电失效现象的研究被引量：3
- 2017年
- 为了判别大功率半导体激光器是否为静电损毁失效,对大功率半导体激光器进行了静电损毁机制的研究。通过测量和表征大功率半导体激光器静电损毁现象,为判别其失效提供有效判据。首先,对GaAs基980 nm大功率半导体激光器(HPLD)分别施加了-200 V,-600 V,-800 V,-1200 V以及+5000 V的静电打击(ESD),每次打击后,测量样品电学参数和光学参数。其次,对打击后的器件进行腐蚀并显微观察其打击后损伤现象。反相ESD后,半导体激光器I-V曲线有明显的软击穿现象,在反向4 V电压下反向1200 V静电打击后漏电为打击的5883854.92倍。正向5000 V静电打击后器件没有明显的软击穿现象,且功率下降很小。在反向ESD后器件腐蚀金电极后表面有明显熔毁现象,正向静电打击后则没有此现象。通过正向静电打击和反向静电打击下器件反应的不同I-V特性和损伤表征,推测正向瞬时大电压大电流下,器件的I-V特性无明显变化,而反向大电压大电流打击会导致I-V曲线出现明显软击穿,功率下降和表面熔毁现象,为判别静电损毁提出了有效判据。
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- 关键词：大功率半导体激光器静电I-V特性光输出功率
- 一种小孔径垂直腔半导体激光器结构
- 一种小孔径垂直腔半导体激光器结构涉及半导体光电子学技术领域。这种小孔径的垂直腔半导体激光器结构，包括衬底上的N面电极、N型DBR、有源区、P型DBR、SiO2层、ZnO透明电极和P面电极，实现了小出光孔径。解决了传统垂直...
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- 文献传递
- 一种可调AuSn合金组分的热沉
- 一种可调AuSn合金组分的热沉，属于半导体器件制造领域。其结构为自下而上依为热沉层(1)、粘合层(2)、Au80Sn20合金层(3)、锡层或者含锡比例比Au80Sn20高的金锡层(4)；通过在Au80Sn20合金层上蒸镀...
- 崔碧峰郝帅房天啸
- 文献传递
- 不同应力增透膜对半导体激光器性能的影响被引量：6
- 2020年
- 采用离子辅助电子束蒸发方法,通过改变制备Al2O3增透膜时基底的温度,在边发射半导体激光器前腔面上分别制备了张应力和压应力增透膜。比较了张应力、压应力两种不同增透膜对半导体激光器性能的影响。结果表明:在10A注入电流下,当半导体激光器的增透膜为张应力状态时,输出功率为8.11W;当半导体激光器的增透膜为压应力状态时,输出功率为7.74W。可见,在半导体激光器前腔面制备张应力增透膜有效地提高了半导体激光器的斜率效率。
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- 关键词：半导体激光器薄膜应力斜率效率
- 一种可调AuSn合金组分的热沉
- 一种可调AuSn合金组分的热沉，属于半导体器件制造领域。其结构为自下而上依为热沉层(1)、粘合层(2)、Au80Sn20合金层(3)、锡层或者含锡比例比Au80Sn20高的金锡层(4)；通过在Au80Sn20合金层上蒸镀...
- 崔碧峰郝帅房天啸
- 文献传递
- 一种半导体芯片自对准摆片
- 本发明公开了一种半导体芯片自对准摆片，属于光电子技术领域，可应用于半导体发光器件芯片的摆放与对准。对准条沿硅片底座的表面纵向设置，在硅片底座上设置一系列相同的刻蚀槽，刻蚀槽沿硅片底座的表面横向设置；热沉摆放到硅片底座上，...
- 崔碧峰孔真真黄欣竹李莎房天啸郝帅
- 文献传递
- 一种用于半导体激光器封装固定方式的夹具
- 本发明涉及一种用于半导体激光器封装固定方式的夹具，其特征在于采用接触固定方式，避免细导线条焊接时移动，以致损坏激光器，该夹具由不锈钢的固定在夹热沉底座上的夹子组成。使用时把细导线条放于热沉上陶瓷片一侧用两侧的夹子夹住导线...
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- 混凝土构件的喷淋养生装置
- 本发明提供了一种混凝土构件的喷淋养生装置，属于喷淋养生装置技术领域，包括喷淋槽、沉淀管、过滤组件、出水管和喷淋部件。沉淀管固设于喷淋槽的底壁上。过滤组件位于喷淋槽内且套设于沉淀管外，过滤组件与喷淋槽、过滤组件与沉淀管均固...
- 白晓宏张海兴郝帅王庆华王雷吴启刚郭猛朱运鼎
- 低光图像的增强方法、装置、电子设备及存储介质
- 本发明提供一种低光图像的增强方法、装置、电子设备及存储介质，该方法包括：获取待增强的低光图像；将所述低光图像输入至图像分解网络，得到所述低光图像对应的第一反射率分量图及第一光照分量图；将所述第一反射率分量图及所述第一光照...
- 李嘉锋郝帅况玲艳张菁卓力
- 一种具有端面光栅选择机构的端面发射半导体激光器
- 本发明公开一种具有端面光栅选择机构的端面发射半导体激光器，属于半导体激光器应用领域。这种结构的激光器包括衬底、下限制层、具有量子阱结构的有源层、上限制层、盖层、正面电极、背面电极、增透膜、膜厚可为1/2、1/3、1/4的...
- 崔碧峰程瑾王阳房天啸郝帅
- 文献传递
