石高明
- 作品数：4 被引量：3H指数：1
- 供职机构：工业和信息化部电子第五研究所更多>>
- 发文基金：广州市科技计划项目更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>
- GaAs集成电路的金属化缺陷失效定位研究
- 2022年
- 介绍了一种针对砷化镓集成电路(GaAs IC)金属化缺陷的失效定位方法。首先分析了GaAs IC不同金属化结构(如金属化互连、MIM结构、肖特基接触电极)的光发射显微及光致电阻变化(EMMI/OBIRCH)效应,再结合典型的电路原理,得到可能的电路缺陷模型与EMMI/OBIRCH结果之间的对应关系,从而快速、准确地由EMMI/OBIRCH图像得到金属化开路或者短路失效位置。案例研究结果表明,该方法可用于GaAs IC的失效定位,例如放大器、高速数字驱动电路、射频开关等,适用的失效模式包括基极金属化台阶断裂、源极金属通孔开裂形成的开路或MIM金属化桥连形成的低阻等。
- 刘丽媛郑林挺石高明林晓玲林晓玲来萍
- 关键词：GAAS集成电路
- 基于SEM电压衬度的缺陷定位方法研究被引量：1
- 2021年
- 光发射显微分析、光致电阻变化技术两种电失效定位方法在精确定位缺陷上存在局限性,为此提出了基于SEM电压衬度的联用方法用于精确定位集成电路缺陷。首先根据电特性测试进行光发射显微分析或者光致电阻变化分析,结合电路原理和版图,提出失效区域的假设,再进行电压衬度像分析,通过衬度翻转可精确和快速确定缺陷位置,最后通过FIB或者TEM对缺陷进行表征。案例研究显示,有源电压衬度可定位双极型电路铝金属化开路失效,无源电压衬度定位CMOS电路多晶硅栅刻蚀异常引起的漏电流失效,结合形貌和材料分析得出缺陷形成机理和根本原因。
- 陈选龙石高明郑林挺黎恩良刘丽媛刘丽媛林晓玲
- 应力诱发的电迁移失效分析被引量：2
- 2015年
- 电迁移是半导体器件常见的失效机理,可以导致金属的桥连或者产生空洞,引起短路或者开路等互连失效。总结了两种典型的电迁移失效模式:热电迁移和电化学迁移,阐述了两种电迁移的失效应力诱发条件,以及失效分析方法。通过失效分析案例研究,加深对两种失效机理的认识并提供电迁移失效分析的基本思路。
- 陈选龙石高明蔡伟邝贤军
- 关键词：集成电路互连
- 片式多层陶瓷电容器的击穿特性研究
- 2023年
- 对引起片式多层陶瓷电容器(MLCC)击穿失效的主要因素进行了研究。根据MLCC的实际结构特点和材料特性建立模型,利用有限元模拟方法分析了典型缺陷对MLCC样品内部电场强度分布的影响,进一步地总结、分析了MLCC样品的击穿特性,具有一定的参考价值。
- 刘勇莫富尧石高明冯丽婷李伟利
- 关键词：多层陶瓷电容器击穿特性
