戴剑
- 作品数：26 被引量：7H指数：1
- 供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术金属学及工艺电气工程更多>>
- 金属化结构及其制备方法、Fanout封装器件
- 本发明提供了一种金属化结构及其制备方法、Fanout封装器件，包括绝缘布线层、多个芯片、金属化层，以及RDL层；多个芯片分别正面贴装于绝缘布线层且相互间隔分布；金属化层连续设置于各个芯片的背面和周壁，金属化层位于任意相邻...
- 祁广峰徐达王磊王真袁彪杨晓楠宋学峰史光华周彪唐晓赫李仕俊杨彦锋乔家辉戴剑崔亮陈南庭
- 氮化镓开关器件和功率放大器的制备方法及对应器件
- 本发明提供一种氮化镓开关器件和功率放大器的制备方法及对应器件。该方法包括：在氮化镓外延片的正面的第一预设区域进行第一离子注入，并采用预设温度激活所述第一离子；在所述氮化镓外延片的正面的第二预设区域进行第二离子注入，所述第...
- 吕元杰王元刚周国刘方罡戴剑周幸叶王磊宋学峰崔玉兴卜爱民冯志红
- 交叉腔体结构及其制造方法、微波电路、电子设备
- 本发明提供一种交叉腔体结构及其制造方法、微波电路、电子设备。该结构包括：第一腔体、第二腔体以及盖板，第一腔体与第二腔体相互交叉，第二腔体的腔体壁上设有第一凹槽，盖板上设有隔梁，隔梁上连接有隔板，隔板插入第一凹槽中。本发明...
- 康晓晨周彪孔令甲许向前高立坤李玺钟春斌齐亚斌邢星尉国生戴剑王鑫徐达崔亮王凯
- 单刀双掷微波开关
- 本申请适用于半导体技术领域，提供了一种单刀双掷微波开关。该单刀双掷微波开关包括：第一晶体管、第二晶体管、第一电感、第二电感、输入端口、第一输出端口、第二输出端口、第一控制端口和第二控制端口；第一晶体管的第一端连接输入端口...
- 戴剑王磊李士卿崔亮陈南庭宋学峰侯伦刘方罡刘海峰郭丰强武世英申靖轩范仁钰傅琦刘乐乐高显苏辰飞梁家铖
- 一种T/R电路及其信号传输方法
- 本申请适用于集成电路放大器技术领域，提供了一种T/R电路及其信号传输方法。该电路包括：信号接收端与第一选通开关的第一不动端相连；第一选通开关的第二不动端与第三选通开关的第一不动端相连；第一选通开关的动端与放大器的输入端相...
- 戴剑王磊王杰刘方罡崔亮陈南庭宋学峰高鸿飞范仁钰傅琦申靖轩梁家铖郭丰强刘乐乐刘海峰高显
- 微波功率开关电路、装置及控制方法
- 本发明提供一种微波功率开关电路、装置及控制方法。该电路包括射频输入端口、第一匹配元件、第二匹配元件、至少一个射频输出端口和至少一个开关模块；开关模块和射频输出端口一一对应；开关模块包括第一开关支路；第一开关支路包括第一开...
- 郝俊祥刘飞飞卜爱民王磊陈南庭刘帅戴剑王凯冯涛郭丰强韩玉鹏傅琦宋作奇苏晓晨
- W波段混频器
- 本申请适用于混频器技术领域，提供了一种W波段混频器。该W波段混频器包括：第一电桥、第二电桥、第三电桥、第一场效应晶体管和第二场效应晶体管；第一电桥的输入端作为混频器的本振端用于接收本振信号；第一电桥的直通端连接第一场效应...
- 梁家铖戴剑王磊侯伦崔亮陈南庭苏辰飞傅琦高显范仁钰刘方罡郭丰强刘乐乐
- 2~18 GHz GaAs超宽带低噪声放大器MMIC被引量：1
- 2023年
- 基于90 nm GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺设计并制备了一款2~18 GHz的超宽带低噪声放大器(LNA)单片微波集成电路(MMIC)。该款放大器具有两级共源共栅级联结构,通过负反馈实现了超宽带内的增益平坦设计。在共栅晶体管的栅极增加接地电容,提高了放大器的高频输出阻抗,进而拓宽了带宽,提高了高频增益,并降低了噪声。在片测试结果表明,在5 V单电源电压下,在2~18 GHz内该低噪声放大器小信号增益约为26.5 dB,增益平坦度小于±1 dB,1 dB压缩点输出功率大于13.5 dBm,噪声系数小于1.5 dB,输入、输出回波损耗均小于-10 dB,工作电流为100 mA,芯片面积为2 mm×1 mm。该超宽带低噪声放大器可应用于雷达接收机系统中,有利于接收机带宽、噪声系数和体积等的优化。
- 李士卿何庆国戴剑
- 基于GaAs工艺的L波段收发多功能芯片设计
- 2023年
- 基于0.15μm GaAs伪形态高电子迁移率晶体管(Pseudomorphic High Eleotron Mobility Transistor,PHEMT)工艺,设计了一款L波段收发多功能芯片。芯片内部集成6位数控衰减器、6位数控延时器、接收放大器、发射放大器、单刀双掷开关及数字驱动电路。经测试得到,接收通道增益大于3 dB,1 dB压缩输入功率大于3 dBm,噪声系数小于4 dB,64态衰减精度均方根(Root Mean Square,RMS)小于0.6 dB,64态延时精度RMS小于8 ps;发射通道增益大于24 dB,饱和输出功率大于23 dBm,64态延时精度RMS小于8.7 ps。芯片尺寸为4.00 mm×4.00 mm×0.07 mm。
- 高显戴剑傅琦
- 关键词：L波段衰减器
- 自偏置结构、可变电流放大器及电子装置
- 本发明提供一种自偏置结构、可变电流放大器及电子装置，其中，自偏置结构包括旁路电容、插入源电阻、多个焊盘和多个片外电阻器；旁路电容的一端与接地孔连接，另一端用于与晶体管的源极连接；插入源电阻的一端与接地孔连接；多个焊盘至少...
- 任健崔亮王磊杨琦戴剑陈南庭宋学峰郝俊祥王海龙刘飞飞杨楠冯晗琛成立鑫张忠山杨旭达曾雁声吴浩洋王学孟赵广营
