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张小龙

作品数:2 被引量:0H指数:0
供职机构:西安工业大学材料与化工学院更多>>
发文基金:西安应用材料创新基金陕西省自然科学基金西安工业大学校长基金更多>>
相关领域:一般工业技术化学工程更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 1篇化学工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 1篇电子结构
  • 1篇电子性能
  • 1篇隐身
  • 1篇子结构
  • 1篇烷基取代
  • 1篇密度泛函
  • 1篇密度泛函理论
  • 1篇红外
  • 1篇红外隐身
  • 1篇泛函
  • 1篇泛函理论
  • 1篇分子材料
  • 1篇高分子
  • 1篇高分子材料

机构

  • 2篇西安工业大学

作者

  • 2篇陈卫星
  • 2篇张小龙
  • 1篇罗春燕
  • 1篇马爱洁
  • 1篇谭育虎
  • 1篇顾永强

传媒

  • 2篇广东化工

年份

  • 1篇2014
  • 1篇2013
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
高分子材料在红外隐身中的应用研究
2014年
高分子材料在红外隐身材料中占有十分重要的地位。文章首先从斯特潘——玻尔兹曼定律出发,阐述了红外隐身技术的基本原理。然后按照高分子材料在红外隐身涂料中扮演角色的不同,分类介绍了红外隐身材料的国内外研究现状。最后分析了各类隐身材料的优缺点,对未来隐身材料的发展做出展望。
张小龙陈卫星罗春燕马爱洁
关键词:高分子材料红外隐身
不同烷基取代对聚噻吩衍生物电子结构的影响
2013年
采用密度泛函(DFT)B3LYP方法优化和计算了3-烷基噻吩及低聚物的电子性能,给出了单体、低聚物的LUMO、HOMO图,全部的优化采用6-31G*基组。3-烷基噻吩四聚体的能隙分别为1.90 eV,2.20 eV,2.83 eV。随着聚合度的增加,环与环之间的共轭程度增大,聚合物的能隙逐渐减小,可以作为设计低能隙导电聚合物给体材料。
顾永强陈卫星张小龙谭育虎
关键词:密度泛函理论电子性能
共1页<1>
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