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陈弈卫

作品数:3 被引量:13H指数:2
供职机构:华东师范大学理工学院纳光电集成与先进装备教育部工程研究中心更多>>
发文基金:上海市浦江人才计划项目国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信一般工业技术更多>>

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 3篇碳纳米管
  • 3篇纳米
  • 3篇纳米管
  • 2篇碳纳米管薄膜
  • 2篇场发射
  • 1篇电容去离子
  • 1篇英文
  • 1篇生长温度
  • 1篇气相沉积
  • 1篇化学气相
  • 1篇化学气相沉积
  • 1篇NI
  • 1篇NO
  • 1篇表面形貌
  • 1篇不同温度
  • 1篇场发射显示
  • 1篇场发射性能

机构

  • 3篇华东师范大学

作者

  • 3篇孙卓
  • 3篇陈弈卫
  • 2篇张哲娟
  • 2篇王莉莉
  • 1篇李茂刚
  • 1篇王新征
  • 1篇张燕萍
  • 1篇潘丽坤
  • 1篇黄素梅
  • 1篇高阳
  • 1篇郭平生
  • 1篇成荣明
  • 1篇林丽锋
  • 1篇陈婷
  • 1篇阙文修
  • 1篇潘立坤
  • 1篇冯涛

传媒

  • 2篇液晶与显示
  • 1篇华东师范大学...

年份

  • 3篇2007
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
浸泡Ni(NO_3)_2溶液的石墨在不同温度下生长的碳纳米管及其场发射性能(英文)
2007年
将石墨衬底浸泡于0.5mol/LNi(NO3)2溶液中一段时间,之后利用低压化学气相沉积法在不同温度的条件下生长碳纳米管薄膜。研究了碳纳米管的生长温度对其场发射性能的影响。通过扫描电子显微镜和拉曼光谱对生长的碳纳米管薄膜的表征发现,随着碳纳米管的生长温度的增加,碳纳米管的直径与相应拉曼光谱中的G峰和D峰(ID/IG)的峰强比减小。同样,碳纳米管的G峰的半峰宽随着碳纳米管的生长温度的增加而减小,这表明碳纳米管的石墨化程度的增强。实验中发现,碳纳米管的场发射性能依赖于碳纳米管的生长温度。
高阳张燕萍王莉莉张哲娟潘立坤陈弈卫孙卓杨介信
关键词:碳纳米管场发射性能生长温度
碳纳米管薄膜电极电容去离子研究被引量:7
2007年
采用低压化学气相沉积方法制备碳纳米管薄膜电极,研究碳纳米管薄膜的电容去离子行为。碳纳米管薄膜主要由中孔和部分大孔组成,适合电容去离子应用。详细研究了工作条件(流速、电压)和离子特性对碳纳米管薄膜电容去离子性能的影响。结果表明:电极电压越高,除盐率越高;存在一个最佳流速,此时除盐率最高;离子半径越小,电荷越小的离子,更容易吸附。
王新征潘丽坤李茂刚陈弈卫成荣明黄素梅孙卓
关键词:碳纳米管薄膜电容去离子化学气相沉积
表面形貌特殊的碳纳米管薄膜及其场发射增强(英文)被引量:6
2007年
采用磁控共溅射法在Si片表面镀NiTi膜作为碳纳米管生长的催化剂,制备出表面形貌特殊的碳纳米管薄膜,如"丘状"和"星状"的表面微结构。通过扫描电子显微镜对碳纳米管薄膜的形貌进行表征,采用二极管形式测试了碳纳米管薄膜的场发射性能。实验结果表明,这两种碳纳米管薄膜都具有优异的场发射性能,10μA/cm^2时的开启电场分别仅为1.02 V/μm和1.15 V/μm,在外加电场为2.4 V/μm时的电流密度分别达到4.32 mA/cm^2和6.88 mA/cm^2。通过场发射FN的曲线计算得到的场发射增强因子分别为10113和6840。这两种碳纳米管薄膜优异的场发射性能与其表面的微结构有关。表面的粗糙结构增强了部分碳纳米管的局域电场,易于发射电子。
陈婷郭平生王莉莉冯涛陈弈卫张哲娟林丽锋阙文修孙卓
关键词:场发射显示碳纳米管场发射表面形貌
共1页<1>
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