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谢宗奎

作品数：14 被引量：24H指数：3
供职机构：华北电力大学更多>>
相关领域：电子电信电气工程金属学及工艺更多>>

合作作者

文献类型

  • 9篇专利
  • 4篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 5篇电子电信
  • 2篇电气工程
  • 1篇金属学及工艺

主题

  • 6篇电感
  • 5篇封装
  • 4篇氧化物半导体
  • 4篇金属氧化物半...
  • 4篇半导体
  • 3篇杂散电感
  • 3篇直流
  • 3篇直流侧
  • 3篇损耗
  • 3篇碳化硅
  • 3篇同轴
  • 3篇同轴结构
  • 3篇金属氧化物半...
  • 3篇开关损耗
  • 3篇寄生电感
  • 3篇交流侧
  • 3篇功率模块
  • 3篇封装结构
  • 3篇场效应
  • 3篇场效应管

机构

  • 14篇华北电力大学
  • 1篇全球能源互联...

作者

  • 14篇谢宗奎
  • 13篇赵志斌
  • 10篇崔翔
  • 9篇徐鹏
  • 4篇孙鹏
  • 1篇徐鹏

传媒

  • 2篇半导体技术
  • 2篇华北电力大学...

年份

  • 1篇2024
  • 4篇2019
  • 6篇2018
  • 3篇2017
共 14 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种用于高低温试验箱的多器件并行测试夹具
本发明公开了一种用于高低温试验箱的多器件并行测试夹具。该并行测试夹具包括：内部固定接线装置、外部旋转夹具、推力轴承、蜗杆传动装置和底座；内部固定接线装置为一中空圆柱体，设置于外部旋转夹具内部，并且与外部旋转夹具同轴；外部...
徐鹏柯俊吉邹琦谢宗奎孙鹏黄华震蔡雨萌赵志斌崔翔
一种新型直流母排
本发明公开了一种新型直流母排。所述直流母排包括：吸收电容、储能电容、正极、负极、绝缘层；多个所述储能电容的排放位置呈环形结构，多个所述储能电容并联在一起；所述正极与所述储能电容的一端相连接；所述储能电容的另一端与所述负极...
柯俊吉谢宗奎张希蔚徐鹏赵志斌崔翔
碳化硅MOSFET开关特性分析及杂散参数优化被引量：3
2018年
为改善碳化硅MOSFET开关瞬态特性,最大限度地发挥碳化硅MOSFET性能优势。首先,简单分析了开通电流过冲和关断电压过冲产生机理,并在LTSPICE仿真软件中建立了双脉冲测试回路等效电路模型。仿真结果表明:开通电流过冲和关断电压过冲分别主要取决于上桥臂总杂散电容和回路杂散电感。此外,分析了负载电感的杂散电容与绕制层数的关系。通过Q3D仿真,对比研究了不同直流母排结构以及电容布局方式下的杂散电感。最后基于阻抗分析仪测量,采用谐振频率法计算出负载电感的杂散电容和直流母排的杂散电感。仿真和实验结果均表明:单层负载电感杂散电容最小,环形叠层结构直流母排的杂散电感最小。因此在相同开关速度下,采用优化后的测试平台,器件开关瞬态特性明显得到了改善。
柯俊吉谢宗奎林伟聪赵志斌崔翔
一种新型封装结构的功率模块
本发明公开了一种新型封装结构的功率模块。该功率模块包括：第一直流侧端子、第二直流侧端子、交流侧端子、第一驱动端子、第二驱动端子、第一碳化硅金属氧化物半导体场效应管、第二碳化硅金属氧化物半导体场效应管、二极管以及底座；第一...
谢宗奎邹琦柯俊吉徐鹏赵志斌崔翔
一种新型封装结构的功率模块
本实用新型公开一种新型封装结构的功率模块。该功率模块包括：第一直流侧端子、第二直流侧端子、交流侧端子、第一驱动端子、第二驱动端子、第一碳化硅金属氧化物半导体场效应管、第二碳化硅金属氧化物半导体场效应管、二极管以及底座；第...
谢宗奎邹琦柯俊吉徐鹏赵志斌崔翔
文献传递
一种半桥模块和封装方法
本发明公开一种半桥模块和封装方法。所述半桥模块是以两个芯片为子单元的并联分组布设，所述半桥模块包括上半桥模块和下半桥模块；上半桥模块包括多个两芯片直接并联的上半桥子单元、一个辅助源极驱动信号端子、一个栅极驱动信号端子、一...
柯俊吉谢宗奎孙鹏魏昌俊赵志斌崔翔
文献传递
一种新型封装结构的功率模块
本发明公开了一种新型封装结构的功率模块。该功率模块包括：第一直流侧端子、第二直流侧端子、交流侧端子、第一驱动端子、第二驱动端子、第一碳化硅金属氧化物半导体场效应管、第二碳化硅金属氧化物半导体场效应管、二极管以及底座；第一...
谢宗奎邹琦柯俊吉徐鹏赵志斌崔翔
文献传递
寄生电感对碳化硅MOSFET开关特性的影响被引量：14
2017年
相比于传统的Si IGBT功率器件而言,碳化硅MOSFET可达到更高的开关频率、更高的工作温度以及更低的功率损耗。然而,快速的暂态过程使开关性能对回路的寄生参数更加敏感。因此,为了评估寄生电感对碳化硅MOSFET开关性能的影响,基于回路电感的概念,将栅极回路寄生电感、功率回路寄生电感以及共源极寄生电感等效成3个集总电感,并且从关断过电压、开通过电流及开关损耗等3个方面,对这3个电感对Si C MOSFET开关性能的影响进行了系统的对比研究。研究表明:共源极寄生电感对开关的影响最大,功率回路寄生电感次之,而栅极回路寄生电感影响最小。最后,基于实验分析结果,为高速开关电路的布局提出了一些值得借鉴的意见。
柯俊吉赵志斌魏昌俊徐鹏谢宗奎杨霏
关键词：寄生电感开关损耗
杂散电感对SiC MOSFET开关过程的影响分析及优化研究
碳化硅(SiC)材料与传统的硅(Si)材料相比，在禁带宽度、热导率、熔点和击穿场强等方面具有更明显的优势。同样，SiC功率半导体器件相比于传统的硅(Si)基功率器件在高压、高温、高频方面具有更大的优势，因此SiC功率器件...
谢宗奎
关键词：杂散电感瞬态特性
一种用于高低温试验箱的多器件并行测试夹具
本发明公开了一种用于高低温试验箱的多器件并行测试夹具。该并行测试夹具包括：内部固定接线装置、外部旋转夹具、推力轴承、蜗杆传动装置和底座；内部固定接线装置为一中空圆柱体，设置于外部旋转夹具内部，并且与外部旋转夹具同轴；外部...
徐鹏柯俊吉邹琦谢宗奎孙鹏黄华震蔡雨萌赵志斌崔翔
文献传递
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