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蒋道福
作品数:
17
被引量:3
H指数:1
供职机构:
西安电子科技大学
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相关领域:
电子电信
理学
自动化与计算机技术
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合作作者
张鹤鸣
西安电子科技大学
宣荣喜
西安电子科技大学
宋建军
西安电子科技大学
胡辉勇
西安电子科技大学
任光亮
西安电子科技大学
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西安电子科技...
作者
17篇
蒋道福
11篇
胡辉勇
11篇
宋建军
11篇
宣荣喜
11篇
张鹤鸣
4篇
舒斌
4篇
张会宁
4篇
任光亮
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任远
年份
5篇
2020
4篇
2019
5篇
2018
2篇
2017
1篇
2016
共
17
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卫星信号监测系统关键技术研究与实现
随着无线通信的日益发展,卫星通信技术在民用和军用通信领域中扮演的角色越来越关键。为了保障卫星通信信号的可靠传输,以及出于国家安全战略的需要,研究卫星信号监测系统的关键技术具有十分重要的意义。然而,目前在频偏和低信噪比下,...
蒋道福
关键词:
卫星通信
信号监测
码元速率估计
调制识别
基于准高次方谱的信号处理方法
本发明公开一种基于准高次方谱的信号处理方法,其步骤为:(1)获得时域复基带信号;(2)获得时域复基带信号的包络序列和相位序列;(3)获得准高次方信号;(4)获得时域复基带信号的准高次方谱;(5)获得时域复基带信号的频谱细...
任光亮
蒋道福
张会宁
文献传递
Ge基材料改性方法与技术研究
锗(Ge)是间接带隙半导体,在一定的改性作用条件下,如应力作用、合金化作用等,其可转变为直接带隙半导体。直接带隙改性 Ge半导体载流子辐射复合效率高,应用于光电子器件,可有效提高器件的发光效率;直接带隙改性Ge半导体载流...
蒋道福
关键词:
改性机理
物理模型
基于单载波频分多址系统的变换域分集方法
基于单载波频分多址系统的变换域分集方法,其步骤为:(1)生成发送数据块;(2)获得变换域分集后的数据块;(3)获得加权变换域分集后的数据块;(4)获得时域发送信号;(5)接收时域发送信号;(6)获得变换域数据块;(7)对...
任光亮
蒋道福
张会宁
丁健
文献传递
基于直接带隙改性Ge沟道的PMOS器件及其制备方法
本发明涉及一种基于直接带隙改性Ge沟道的PMOS器件及其制备方法。该制备方法包括:选取单晶Si衬底;生长第一Ge层;生长第二Ge层;连续生长栅介质层和栅极层;利用选择性刻蚀工艺刻蚀指定区域的栅介质层和栅极层形成栅极;在栅...
蒋道福
宋建军
苗渊浩
胡辉勇
宣荣喜
张鹤鸣
基于沟道晶向选择的压应变Si CMOS器件及其制备方法
本发明涉及一种基于沟道晶向选择的压应变Si CMOS器件及其制备方法。该制备方法包括:选取Si衬底;生长弛豫SiC外延层;生长应变Si层;形成浅槽隔离;采用离子注入工艺形成N型阱区和P型阱区;在应变Si层表面连续生长栅介...
蒋道福
宋建军
苗渊浩
胡辉勇
宣荣喜
张鹤鸣
文献传递
SiGeC应力引入的直接带隙Ge沟道NMOS器件及其制备方法
本发明涉及一种SiGeC应力引入的直接带隙Ge沟道NMOS器件及其制备方法。该制备方法包括:选取单晶Si衬底;生长第一Ge层;生长第二Ge层;连续生长栅介质层和栅极层,刻蚀工艺选择性刻蚀所述栅介质层和所述栅极层形成栅极;...
吴翼飞
宋建军
宣荣喜
蒋道福
胡辉勇
张鹤鸣
文献传递
双本征Ge阻挡层GeSn合金PIN光电探测器及其制备方法
本发明涉及一种双本征Ge阻挡层GeSn合金PIN光电探测器及其制备方法,该方法包括:选取Si衬底;生长Ge籽晶层;生长Ge主体层;生长SiO<Sub>2</Sub>层;将整个衬底材料加热至700℃,采用连续激光工艺晶化,...
苗渊浩
宋建军
蒋道福
胡辉勇
宣荣喜
舒斌
张鹤鸣
文献传递
InGaAs材料、基于InGaAs材料作为沟道的MOS器件及其制备方法
本发明涉及一种InGaAs材料、基于InGaAs材料作为沟道的MOS器件及其制备方法。该方法包括:选取Si衬底;生长第一Ge籽晶层;生长第二Ge主体层;加热整个衬底,并利用激光工艺对整个衬底进行晶化,激光工艺参数:波长为...
蒋道福
宋建军
任远
宣荣喜
胡辉勇
舒斌
张鹤鸣
文献传递
基于单载波频分多址系统的变换域分集方法
基于单载波频分多址系统的变换域分集方法,其步骤为:(1)生成发送数据块;(2)获得变换域分集后的数据块;(3)获得加权变换域分集后的数据块;(4)获得时域发送信号;(5)接收时域发送信号;(6)获得变换域数据块;(7)对...
任光亮
蒋道福
张会宁
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