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王一

作品数:4 被引量:6H指数:2
供职机构:辽宁工程技术大学材料科学与工程学院更多>>
发文基金:辽宁省自然科学基金国家自然科学基金更多>>
相关领域:金属学及工艺一般工业技术冶金工程更多>>

文献类型

  • 4篇中文期刊文章

领域

  • 2篇金属学及工艺
  • 1篇冶金工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 4篇复合材料
  • 4篇复合材
  • 3篇P
  • 3篇TIC
  • 2篇热挤压
  • 2篇TICP
  • 1篇电化学
  • 1篇电化学性能
  • 1篇原位反应
  • 1篇热挤压工艺
  • 1篇阻尼性
  • 1篇阻尼性能
  • 1篇力学性能
  • 1篇合金
  • 1篇合金复合材料
  • 1篇复合材料力学
  • 1篇ZA35合金
  • 1篇ANN
  • 1篇材料阻尼
  • 1篇力学性

机构

  • 4篇辽宁工程技术...
  • 3篇沈阳工业大学

作者

  • 4篇刘敬福
  • 4篇王一
  • 2篇曲迎东
  • 2篇李赫亮
  • 1篇王鸣
  • 1篇庄伟彬
  • 1篇冯立丽

传媒

  • 1篇金属热处理
  • 1篇材料热处理学...
  • 1篇兵器材料科学...
  • 1篇航空材料学报

年份

  • 1篇2023
  • 1篇2019
  • 1篇2017
  • 1篇2016
4 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
热挤压对喷射沉积TiC_p/ZA35复合材料力学性能的影响被引量:1
2019年
采用热挤压对喷射沉积TiCp/ZA35复合材料进行致密化处理,分析挤压比压、挤压温度、挤压比及挤压速率对复合材料力学性能的影响。结果表明:热挤压后,TiCp/ZA35复合材料中反应生成的增强相TiC颗粒在晶界和晶内分布均较均匀,组织中析出MnAl6强化相,相对密度提高;当挤压比压为430 MPa,温度为285℃,挤压比为12,速率为8 mm/s时,挤压后复合材料的抗拉强度为485.0 MPa、伸长率为9.53%。
刘敬福齐莉王一李赫亮
关键词:热挤压力学性能
热处理对TiC_P/ZA35复合材料电化学性能的影响被引量:1
2016年
采用喷射沉积Al-Ti-C预制体和ZA35合金的混熔体制备原位反应TiC_P/ZA35复合材料,对TiC_P/ZA35复合材料进行固溶时效处理。利用金相显微镜、X射线衍射(XRD)和电化学工作站研究了固溶与时效处理后复合材料的组织和电化学性能。结果表明,TiC_P/ZA35复合材料组织为细小等轴晶,Ti C颗粒分布均匀。经过350℃×4 h固溶+150℃×6 h时效处理后,析出相主要是MnAl_6和Al_(11)Cu_5Mn_3。在3.5%NaCl溶液中,经过350℃×4 h固溶+150℃×6 h时效处理的复合材料腐蚀电流密度最小,为0.005 m A/cm^2,相对于未处理复合材料减小73.7%。适宜热处理相对于未处理复合材料的电阻增加和电极双电层电容下降是改善耐蚀性的主要原因。在本实验中,TiC_P/ZA35复合材料最佳的热处理工艺是350℃×4 h固溶+150℃×6 h时效。
刘敬福王一李赫亮王鸣曲迎东
关键词:电化学性能
喷射成形TiC_(p)/ZA35复合材料热挤压工艺的ANN优化和组织研究被引量:2
2023年
采用人工神经网络(ANN)的方法,研究挤压比、挤压比压、挤压温度和挤压速率对喷射成形TiC_(p)/ZA35复合材料力学性能的影响,建立了TiC_(p)/ZA35复合材料热挤压的人工神经网络模型。模型的输入参数为挤压比、挤压比压、挤压温度和挤压速率,输出参数为复合材料的抗拉强度。该模型可以仿真TiC_(p)/ZA35复合材料在不同热挤压工艺参数下的力学性能,也可以优化热挤压工艺参数,模型结果与实验结果误差小于1.8%,拟合率为0.986。推荐热挤压工艺优化参数为:挤压比22,挤压比压415 MPa,挤压温度315℃,挤压速率8 mm·s^(-1),此工艺条件下复合材料的抗拉强度为486.7 MPa。热挤压间接对复合材料进行了时效处理,材料晶内析出晶须状和颗粒状的MnAl6强化相。弥散强化和位错强化作用使热挤压喷射沉积TiCp/ZA35复合材料较未挤压复合材料抗拉强度提高38.3%。
刘敬福叶建军周祥春庄伟彬王一
关键词:热挤压
热处理对喷射沉积TiC_p/ZA35合金复合材料阻尼性能的影响被引量:2
2017年
研究了热处理工艺对喷射沉积原位反应TiC_p/ZA35合金复合材料组织和阻尼性能的影响。结果表明:TiC_p/ZA35合金复合材料晶粒细小,Ti C颗粒呈均匀近球形,多沿晶界分布,未发现聚集。Ti C颗粒和ZA35合金基体界面处的位错密度较高。TiC_p/ZA35合金复合材料的内耗随测试温度上升而增加,随测试频率增加而减小。在测试频率为1 Hz,温度为160℃,内耗达到0.105。经350℃×4 h+150℃×6 h热处理后,阻尼较未热处理增加16.2%。热处理后材料阻尼增加归因于位错内耗和增强相Ti C/ZA35合金基体界面内耗。
刘敬福冯立丽岳鹏王一曲迎东
关键词:原位反应阻尼性能
共1页<1>
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