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李曼

作品数:4 被引量:4H指数:1
供职机构:西南交通大学更多>>
发文基金:中央高校基本科研业务费专项资金国家自然科学基金更多>>
相关领域:化学工程理学金属学及工艺更多>>

文献类型

  • 4篇中文期刊文章

领域

  • 2篇化学工程
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇理学

主题

  • 3篇导体
  • 3篇涂层导体
  • 2篇基带
  • 1篇电镀
  • 1篇电化学
  • 1篇电化学抛光
  • 1篇织构化
  • 1篇抛光
  • 1篇脉冲电流
  • 1篇化学抛光
  • 1篇化学溶液沉积...
  • 1篇缓冲层
  • 1篇NI
  • 1篇YBCO
  • 1篇表面电化学

机构

  • 3篇西南交通大学
  • 1篇教育部

作者

  • 4篇蒲明华
  • 4篇李曼
  • 2篇赵勇
  • 2篇欧亚芝
  • 2篇周涛
  • 1篇雷鸣
  • 1篇朱晓垒
  • 1篇朱晓磊
  • 1篇周茜
  • 1篇张文英

传媒

  • 3篇低温与超导
  • 1篇表面技术

年份

  • 2篇2015
  • 1篇2014
  • 1篇2013
4 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
定向电镀-涂层导体织构化基带低成本制备的潜在途径被引量:1
2015年
高昂的基带制备成本是限制涂层导体大规模应用的主要障碍。对电镀Ag中取向变化进行了研究分析。研究结果表明,当电镀电流密度较低时(趋于0),镀膜以(220)织构为主,与基片的织构基本一致;当电镀电流密度较高时,样品延密排面(111)择优取向。在此基础上,利用自主研制的定向电镀原理性装置在Cu基片上电镀出(200)取向的双轴织构的Ag层。这些结果为涂层导体织构化基带的制备提供新的可能途径。
李曼蒲明华宋铭洋周茜
关键词:涂层导体
脉冲参数对NiW基带表面电化学抛光质量的影响
2015年
目的研究提高Ni W合金基带表面质量的脉冲电化学最佳抛光工艺。方法以磷酸为主要抛光酸剂,以甘油为缓冲剂配置抛光液,采用脉冲电化学抛光技术,研究电流密度、脉冲频率、脉冲占空比对Ni W基带的表面抛光效果的影响。通过扫描电镜和原子力显微镜对抛光后的基带表面微观形貌进行表征,获得最佳脉冲电化学抛光工艺。结果最佳工艺为:平均电流密度25 A/dm2,脉冲频率毫秒级(1000Hz以上),脉冲占空比1∶4,抛光时间10 min。扫描电镜结果表明,抛光后的基带表面平整致密,轧制和热处理产生的条纹、晶界等缺陷都被消除,在此抛光工艺下,可以有效降低Ni W基带表面粗糙度,提高基带表面质量。原子力显微镜测试4μm×4μm范围内的表面平均粗糙度为几个纳米,表明抛光基带表面非常平滑,达到镜面效果。结论最佳抛光工艺下,可以显著改善Ni W基带的表面质量,获得好的基带表面状态,满足涂层导体对金属基带材料表面质量的要求。
李曼蒲明华宋铭洋
关键词:涂层导体脉冲电流电化学抛光
外延温度对YBCO薄膜结构与性能的影响被引量:1
2014年
采用化学溶液沉积法(CSD),在758℃到772℃不同温度下制备了一系列YBa2Cu3Ox(YBCO)薄膜。通过X射线衍射、扫描电镜观察和物性测量,研究了外延温度对其结构与性能的影响。研究结果表明,在760℃及770℃附近存在两个适合YBCO薄膜外延生长的温度区间,在这两个温区生长制备的YBCO薄膜具有良好的超导性能。760℃和770℃附近制备的样品的临界超导转变温度Tc分别为90K和89K,说明760℃附近的较低温区更适合YBCO薄膜的外延生长。760℃附近生长的薄膜在77K自场下的临界电流密度Jc可达到3MA/cm2。文中进一步对存在两个外延温区间的现象进行了讨论,其机制可能来源于自发形核与诱导外延生长之间的相互竞争。
欧亚芝蒲明华周涛朱晓磊李曼赵勇
关键词:YBCO
YBiO_3缓冲层的化学溶液沉积法快速制备被引量:2
2013年
基于固态分解原理,提出并验证了名为两步加热法(TSH)的CSD快速制备YBiO3缓冲层的技术方案。研究发现,聚丙烯酸-硝酸盐溶液前驱膜中的溶剂聚丙烯酸可以在40min内完全挥发。得到的无水硝酸盐混合物可以直接在高温下分解,并于1h内在钇稳定氧化锆上外延生长出YBiO3缓冲层,总工艺时间不足2h。测试结果表明,由此制得的YBiO3薄膜表面同样平整、致密,且具有良好的立方织构。两步加热法为涂层导体缓冲层的低成本连续制备提供了新的思路。
张文英蒲明华朱晓垒周涛欧亚芝李曼雷鸣赵勇
关键词:涂层导体缓冲层
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