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徐鑫

作品数:27 被引量:0H指数:0
供职机构:重庆墨希科技有限公司更多>>
相关领域:一般工业技术金属学及工艺电气工程更多>>

文献类型

  • 27篇中文专利

领域

  • 3篇一般工业技术
  • 2篇金属学及工艺
  • 1篇电气工程

主题

  • 25篇石墨
  • 24篇石墨烯
  • 6篇复合结构
  • 6篇CVD
  • 6篇催化
  • 5篇发热
  • 4篇可靠性
  • 4篇发射率
  • 4篇分子
  • 4篇高分子
  • 4篇高可靠
  • 4篇高可靠性
  • 4篇掺杂
  • 3篇电化学
  • 3篇电化学法
  • 3篇电热
  • 3篇电热膜
  • 3篇银纳米线
  • 3篇透过率
  • 3篇子层

机构

  • 27篇重庆墨希科技...
  • 2篇中国科学院重...

作者

  • 27篇徐鑫
  • 25篇姜浩
  • 25篇马金鑫
  • 13篇史浩飞
  • 10篇张雪峰
  • 9篇王仲勋

年份

  • 3篇2022
  • 5篇2021
  • 4篇2020
  • 6篇2019
  • 6篇2018
  • 2篇2017
  • 1篇2016
27 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
石墨烯附着增强的复合导电结构及其制备方法
本发明公开了一种能够实现石墨烯对目标基底附着增强的石墨烯附着增强的复合导电结构及其制备方法。该石墨烯附着增强的复合导电结构包括至上而下的CVD石墨烯层、导电高分子层、目标基底;制备方法包括以下步骤:S1、在催化衬底上生成...
马金鑫姜浩徐鑫
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一种复合透明导电薄膜及其制备方法
本发明涉及一种复合透明导电薄膜及其制备方法,其制备方法的步骤如下:S1,在金属衬底表面催化生长单晶子层石墨烯膜,得到结构Ⅰ;S2,在结构Ⅰ的石墨烯膜表面涂覆银纳米线并烘干,获得复合结构Ⅱ;S3,在柔性透明基底上均匀涂布液...
马金鑫姜浩徐鑫
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石墨烯加热膜的制备工艺
本发明公开了一种工艺简单,能够形成完整的石墨烯电热膜的石墨烯加热膜的制备工艺。该石墨烯加热膜的制备工艺依次包括以下步骤:S1、对催化衬底铜箔进行退火处理;对退火铜箔进行微刻蚀处理,在铜箔表面生长二维连续结构的石墨烯层,得...
徐鑫马金鑫姜浩
一种基于石墨烯的高发射率的红外发射膜及其制备方法
本发明公开了一种基于石墨烯的高发射率的红外发射膜及其制备方法。本发明的一种基于石墨烯的高发射率的红外发射膜包括自下而上依次层叠设置的透明基底、粗糙化的石墨烯复合层、电极层和封装层,其中,石墨烯复合层为通过液态胶黏剂将在粗...
王仲勋马金鑫姜浩徐鑫张雪峰史浩飞
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一种石墨烯金属导电材料的一体化生产装置
本实用新型涉及石墨烯金属材料的生产设备领域,公开了一种石墨烯金属导电材料的一体化生产装置,包括一体化生长模压腔室,一体化生长模压腔室连通有管路系统,一体化生长模压腔室内设有加热系统、热压模具和用于固定金属材料的夹具,热压...
徐鑫史浩飞李昕余杰马金鑫姜浩段银武黄德萍邵丽
一种复合透明导电薄膜及其制备方法
本发明涉及一种复合透明导电薄膜及其制备方法,其制备方法的步骤如下:S1.在金属衬底表面催化生长单晶子层石墨烯膜,得到结构Ⅰ;S2.提供一种透明柔性透明基底,涂布银纳米线并烘干,获得复合结构Ⅱ;S3.在复合结构Ⅱ表面继续均...
马金鑫姜浩徐鑫
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CVD石墨烯复合型掺杂结构及其制备方法
本发明公开了一种能够实现石墨烯高效掺杂,并且保证长效掺杂效果的CVD石墨烯复合型掺杂结构及其制备方法。所述CVD石墨烯复合型掺杂结构,包括从上至下依次设置的CVD石墨烯层、复合掺杂层、封装层、目标衬底层;制备方法包括以下...
徐鑫姜浩马金鑫
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大面积CVD石墨烯掺杂转移方法
本发明公开了一种够保证CVD石墨烯掺杂效果稳定同时避免转移破损的大面积CVD石墨烯掺杂转移方法。该方法包括步骤:S1、在催化衬底上生成CVD石墨烯层;S2、在CVD石墨烯层上形成掺杂挤吸收层;S3、在掺杂剂吸收层上形成转...
马金鑫姜浩徐鑫
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一种高可靠性CVD石墨烯透明红外发射膜及其制备方法
本发明公开了一种高可靠性CVD石墨烯透明红外发射膜及其制备方法,其通过在石墨烯层和基底层之间设置一个附着力增强层,且该附着力增强层具有特定的结构,其具有柔顺的主链结构,且侧基为高极性基团,因此,其与石墨烯能够在分子尺度充...
姜浩徐鑫马金鑫王仲勋史浩飞张雪峰
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一种基于石墨烯的高可靠性的发热膜及其制备方法
本发明公开了一种基于石墨烯的高可靠性的发热膜及其制备方法,其通过在透明基底表面形成的附着胶层,即引入能够与金属浆料中的成型树脂反应的活性组分,能够显著提高金属浆料的附着力;同时,通过在石墨烯层上设置阻抗匹配层,从而有效提...
王仲勋徐鑫姜浩马金鑫史浩飞张雪峰
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共3页<123>
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