周全
- 作品数：18 被引量：11H指数：2
- 供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>
- 单片可重构砷化镓低噪声放大器
- 本实用新型属于低噪声放大器技术领域，涉及一种单片可重构砷化镓低噪声放大器，主要包括：片外输入匹配电路和砷化镓单片放大电路；片外输入匹配电路的输入端作为单片可重构砷化镓低噪声放大器的输入端，片外输入匹配电路的匹配端与砷化镓...
- 周全陈南庭邓世雄陈书宾要志宏王磊王乔楠陈然张路洋武康郭尧张慧芳
- S波段平衡式低噪声放大模块及幅相一致性研究
- 2007年
- 为适应微波集成电路向高性能、高可靠、多功能、小型化及低成本方向的发展趋势,介绍了一种具有限幅、开关功能的S波段平衡式低噪声放大模块,该模块利用微波薄膜混合集成电路工艺和多芯片微组装一体化集成技术。阐述了其小体积、管壳化设计。着重从三个方面对影响该放大模块幅度、相位一致性的原因进行了分析和探讨,提出了在批量化生产过程中控制幅相一致性的几点措施,给出了随机抽测的5只样品详细测试结果。该模块外形尺寸为20 mm×14 mm×5 mm。
- 周全
- 关键词：S波段平衡式放大器幅相一致性
- 一种VHF频段1200 W吸收式限幅器的设计被引量：5
- 2017年
- 基于国内外限幅单片在VHF频段无法实现kW级别的现实,给出了一种采用混合集成电路工艺,在VHF频段达到1 200W的新型吸收式限幅器设计,阐述了该限幅器的工作原理和电路设计,采用双半有源式限幅电路,高功率移相网络将四节限幅电路一体化集成。测试结果表明,限幅器工作频率为50 MHz^75 MHz,限幅功率为1 200 W(脉宽3ms,30%占空比),小信号插损小于0.3dB,驻波比小于1.3,限幅输出功率小于15dBm,恢复时间小于10s。该限幅器外形尺寸为44mm×25mm×12mm。技术指标满足设计要求。
- 周全孔令甲
- 关键词：混合集成电路限幅器
- 2～4 GHz宽带高增益小型化限幅低噪声放大器被引量：4
- 2018年
- 为适应微波混合集成电路向多功能、高性能、小型化及低成本方向的发展趋势,设计了一种具有限幅、开关功能的宽带平衡式低噪声放大器,利用微波薄膜混合集成电路工艺和多芯片微组装模块(MCM)集成技术将限幅电路、宽带平衡式放大电路、开关电路和TTL转换电路一体化集成到全密封金属管壳,阐述了该限幅低噪声放大器的高功率限幅、高增益、宽带低噪声及小体积设计。限幅低噪声放大器工作在2~4GHz,限幅功率大于250 W(脉宽1ms,30%占空比),增益大于38dB,电压驻波比小于1.4,噪声系数小于1.4dB,恢复时间小于1.0μs。限幅低噪声放大器采用+5V电源,开关控制端采用TTL电平,外形尺寸24mm×12mm×5.0mm。技术指标满足设计要求。
- 周全邓世雄
- 关键词：混合集成电路低噪声放大器限幅器小型化
- 存储器读写结构、方法及FFT处理器
- 本发明提供一种存储器读写结构、方法及FFT处理器，涉及半导体集成电路技术领域。该方法包括：在上一帧流水线数据以第一顺序写入存储器的情况下，将当前帧流水线数据以第二顺序写入所述存储器；在当前帧流水线数据以第二顺序写入所述存...
- 张梦月王磊 王鑫齐贺飞 郭丰强李博 崔鹏壮 闫维高 孙硕 王蔚然 王飞 陈帅邓世雄周全王立发王凯
- 3dB电桥及其制备方法
- 本发明属于无线电技术领域，涉及一种3dB电桥及其制备方法。所述电桥包括：输入端口、直通端口、耦合端口、隔离端口、第一平行微带线、第二平行微带线、介质基片和金属垫片；第一平行微带线呈正U字形，第二平行微带线呈倒U字形，两者...
- 邓世雄周全史磊要志宏王乔楠董雪白银超韩鹏飞任亮刘晓莉李增路
- 一种宽带低功耗电压可变衰减器的研究被引量：2
- 2007年
- 采用微波薄膜混合集成电路工艺设计并实现了一种砷化镓场效应管电压可变衰减器,在DC～20 GHz带宽内插入损耗小于3 dB,最大衰减量22 dB,输入输出端口驻波比小于2.0,衰减动态范围在10 dB以内时衰减平坦度小于1 dB。该衰减器采用单电压源控制衰减量变化,控制电压在-2～0 V内变化时,控制端口电流的实测值低于5μA,具有显著的低功耗优点。
- 杨强周全
- 关键词：宽带低功耗砷化镓场效应管
- 用于承受1000W的3dB Lange耦合器及制备方法
- 本发明提供了一种用于承受1000W的3dB Lange耦合器及制备方法，包括基片，所述基片上设有输入端口、耦合端口、直通端口、隔离端口、多个连接在各端口之间的指状微带线及连接在指状微带线之间的键合金丝，所述隔离端口的外侧...
- 周全陈书宾邓世雄魏少伟祁广峰武义桥谢潇
- 文献传递
- 用于承受1000W的3dB Lange耦合器
- 本实用新型提供了一种用于承受1000W的3dB Lange耦合器，包括基片，所述基片上设有输入端口、耦合端口、直通端口、隔离端口、多个连接在各端口之间的指状微带线及连接在指状微带线之间的键合金丝，所述隔离端口的外侧和所述...
- 周全陈书宾邓世雄魏少伟祁广峰武义桥谢潇
- 文献传递
- 光电耦合器件及其制造方法
- 本发明提供一种光电耦合器件，包括管壳基板、光芯片、光学元件和连接支架，连接支架位于管壳基板和光学元件之间。其明热塑性粘固材料受热熔化变形过程中，光学元件的偏移量较小，偏移量可控性更强，继而实现精准耦合。本发明还提供一种光...
- 杨晓楠魏少伟徐达常青松邓建国董同超张志谦周全张延青杨树国沈牧房玉锁魏爱新胡文浩
