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陈智辉

作品数：1 被引量：0H指数：0
供职机构：北京邮电大学理学院光通信与光波技术教育部重点实验室更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇动力学
  • 1篇动力学方法
  • 1篇动力学模拟
  • 1篇分子
  • 1篇分子动力学
  • 1篇分子动力学方...
  • 1篇分子动力学模...
  • 1篇薄膜生长
  • 1篇GAN

机构

  • 1篇北京邮电大学

作者

  • 1篇俞重远
  • 1篇王永钢
  • 1篇刘玉敏
  • 1篇芦鹏飞
  • 1篇陈智辉

传媒

  • 1篇功能材料

年份

  • 1篇2008
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
分子动力学方法模拟GaN薄膜生长
2008年
采用分子动力学模拟方法,应用Bucking-ham经验势模型,模拟纤锌矿相GaN的薄膜晶格生长。研究了GaN薄膜生长的早期阶段的形貌特点、生长规律、表面结构及动力学特性。模拟发现,N原子与Ga原子按照晶格特征吸附在衬底上,作层状分布趋势并且薄膜层从下到上晶态特征逐渐减弱。观察每层沉积原子数、空位比、沉积原子团簇质心高度与沉积原子均方位移随时间的变化规律,发现了随着时间步数增加,原子团簇逐渐达到稳定,在5000步时前3层都达到了较稳定状态,且N原子比Ga原子能更快地找到平衡位置。
陈智辉俞重远芦鹏飞刘玉敏王永钢
关键词：分子动力学模拟薄膜生长GAN
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