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张瞾

作品数:1 被引量:0H指数:0
供职机构:南京航空航天大学自动化学院更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇损耗
  • 1篇损耗分析
  • 1篇逆变
  • 1篇逆变器
  • 1篇驱动电路
  • 1篇静止变流器
  • 1篇级联逆变器
  • 1篇航空静止变流...
  • 1篇变流
  • 1篇变流器
  • 1篇SIC
  • 1篇MOSFET

机构

  • 1篇南京航空航天...

作者

  • 1篇谢少军
  • 1篇曹鸿
  • 1篇葛小伟
  • 1篇张瞾

传媒

  • 1篇电源学报

年份

  • 1篇2016
1 条 记 录,以下是 1-1
排序方式:
SiC MOSFET在航空静止变流器中的应用研究
2016年
航空静止变流器实现机载直流电到交流电的转换,对功率密度、效率、环境适应性、可靠性和电气性能等有较高的要求。碳化硅(SiC)半导体器件的开关速度快、高温特性好,在航空静止变流器中有很好的应用前景,但目前关于宽禁带器件在航空静止变流器中应用的研究比较少。首先结合现有的典型航空静止变流器电路拓扑分析了SiC MOSFET应用的关键问题;然后针对航空静止变流器逆变级的两级级联半桥逆变器,对比分析了应用SiC MOSFET与Si MOSFET的损耗大小,分析结果表明在现采用的开关频率下,即使现有SiC MOSFET导通损耗较大,但总损耗仍较小;且开关频率越高,SiC MOSFET的效率优势越明显,最后为适应高开关频率SiC MOSFET逆变器的需要设计了一种适应高开关频率和宽占空比变化信号的SiC MOSFET驱动电路,搭建了1台500 VA、115 V/400 Hz两级级联半桥逆变器实验样机,并验证了应用SiC MOSFET的航空静止变流器逆变级的可行性。
葛小伟张瞾曹鸿谢少军
关键词:航空静止变流器SICMOSFET级联逆变器损耗分析驱动电路
共1页<1>
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