您的位置： 专家智库 > >

卢振伟

作品数：1 被引量：5H指数：1
供职机构：烟台大学光电信息科学技术学院更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇栅介质
  • 1篇微电子
  • 1篇微电子材料
  • 1篇厚度
  • 1篇高K栅介质

机构

  • 1篇河北师范大学
  • 1篇烟台大学

作者

  • 1篇王文海
  • 1篇吴现成
  • 1篇甄聪棉
  • 1篇徐大印
  • 1篇张道明
  • 1篇赵丽丽
  • 1篇卢振伟

传媒

  • 1篇材料导报（纳...

年份

  • 1篇2008
共 1 条 记 录，以下是 1-1
全选 清除 导出
排序方式：
高k栅介质的研究进展被引量：5
2008年
随着集成电路的飞速发展,半导体器件特征尺寸按摩尔定律不断缩小。SiO_2栅介质将无法满足Metaloxide-semiconductor field-effect transistor(MOSFET)器件高集成度的需求。因此,应用于新一代MOSFET的高介电常数(k)栅介质材料成为微电子材料研究热点。介绍了不断变薄的SiO_2栅介质层带来的问题、对MOSFET栅介质材料的要求、制备高k薄膜的主要方法,总结了高k材料的研究现状及有待解决的问题。
卢振伟吴现成徐大印赵丽丽张道明王文海甄聪棉
关键词：微电子材料栅介质厚度
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0