舒磊
- 作品数：3 被引量：5H指数：2
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- 高压SOI LDMOS功率器件的辐射效应研究
- SOILDMOS功率器件的栅极、源极和漏极在同一表面，易于集成，同时具有较快的开关速度和较小的寄生效应等优点，作为电源开关，是高压电源集成电路的核心器件，在空间电源集成电路中有广阔的应用前景。本文基于典型SOI高压LDM...
- 舒磊
- 关键词：总剂量效应单粒子烧毁
- 文献传递
- 65nm反相器单粒子瞬态脉宽分布的多峰值现象被引量：3
- 2017年
- 基于65 nm工艺下单粒子瞬态脉宽检测电路,在重离子辐照下,对目标单元单粒子瞬态脉宽进行了测试。针对实验结果中单粒子瞬态脉宽分布出现多峰的现象进行了分析。详细对比了反相器多峰现象与LET值、温度、阈值电压间的关系。通过TCAD仿真分析了多峰现象的原因,即PMOS由于寄生双极效应,在高LET粒子攻击下产生的瞬态脉冲脉宽大于粒子攻击NMOS产生的瞬态脉冲脉宽。高温条件会使得寄生双极效应更加严重,因此在高温条件下脉宽分布的多峰现象更加明显。
- 刘家齐赵元富王亮郑宏超舒磊李同德
- 多电压集成电路的瞬时剂量率辐射效应试验研究被引量：3
- 2017年
- 瞬时剂量率辐射会对集成电路产生不同程度的影响,产生扰动、翻转、闩锁甚至烧毁等问题。针对一款具有两种电源电压的0.18μm SRAM电路,利用"强光一号"装置进行了瞬时γ剂量率辐射试验,研究了SRAM电路的内核电压和IO电压受扰动后的恢复时间,并对试验结果进行了分析。高电源电压扰动恢复时间优于低电源电压扰动恢复时间,该发现对多电压集成电路瞬时剂量率效应的评估和加固具有指导意义。
- 李同德赵元富王亮郑宏超舒磊刘家齐于春青
