杨昊鹍
- 作品数：5 被引量：14H指数：3
- 供职机构：河北工业大学信息工程学院微电子技术与材料研究所更多>>
- 发文基金：国家中长期科技发展规划重大专项国家科技重大专项更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- TSV硅衬底CMP后表面微粗糙度分析与优化被引量：1
- 2013年
- 为实现TSV硅衬底表面微粗糙度及去除速率的优化,对影响TSV硅衬底精抛后表面微粗糙度的关键因素——抛光液组分的作用进行分析。采用正交实验方法进行精抛液组分(包括有机胺碱、螯合剂、磨料和活性剂)配比控制的组合实验。实验结果表明,抛光液组分中活性剂体积分数对CMP过程中硅衬底片表面微粗糙度及去除速率的影响最为显著。优化抛光液组分配比条件下,CMP后硅衬底表面微粗糙度可有效降到0.272 nm(10μm×10μm),去除速率仍可达到0.538μm/min。将优化后的抛光液与生产线上普遍采用的某国际商用抛光液进行对比,在抛光速率基本一致的条件下,粗糙度有效降低50%。
- 杨昊鹍刘玉岭王辰伟孙鸣张宏远
- 关键词：抛光液活性剂抛光速率
- SiO_2/CeO_2混合磨料对硅CMP效果影响被引量：4
- 2013年
- 以获得高去除速率和低表面粗糙度为目标,建立了基于纳米氧化铈-硅溶胶复配混合磨料新模式。采用小粒径、低分散度的30 nm氧化铈-硅溶胶复配混合作为磨料,利用氧化铈对硅片表面化学反应产物硅酸胺盐的强络合作用,加快了硅衬底表面化学反应进程。分析了复合磨料抛光的机理,通过Aglient 5600LS原子力显微镜,测试了抛光前后的厚度及抛光后的硅片表面微粗糙度。实验结果表明,复合磨料抛光后硅片表面在10μm×10μm范围内粗糙度方均根值0.361 nm,表面微粗糙度降低16%以上,去除率为1 680 nm/min,硅CMP速率提高8%以上,实现了高去除速率、低表面粗糙度的硅单晶抛光。
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- 关键词：纳米氧化铈化学机械抛光硅衬底去除速率
- Al合金在碱性条件下CMP研究被引量：3
- 2013年
- Al化学机械抛光是实现28 nm高k金属栅器件集成电路的关键制程,采用田口方法设计正交实验,主要研究了碱性抛光液对Al合金抛光特性的作用。围绕抛光液组分进行实验。结果表明,有机胺碱体积分数为1.5%,螯合剂体积分数为0.5%,硅溶胶磨料体积分数为15%,活性剂体积分数为0.3%,氧化剂H2O2体积分数为1%时表面粗糙度最低,同时抛光液组分中活性剂体积分数在化学机械抛光过程中对Al合金表面粗糙度影响最为显著。通过优化抛光液组分配比,化学机械抛光后Al合金表面粗糙度可降到1.81 nm(10μm×10μm)。在最佳配比,即pH值为10.51时的抛光液与传统三酸抛光液进行对比实验,Al表面粗糙度明显低于传统三酸抛光液,抛光后Al表面无划伤、无蚀坑,达到了较好的抛光效果。
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- 关键词：AL合金抛光液化学机械抛光活性剂
- 航空太阳能电池用超薄锗单晶的精密抛光被引量：5
- 2014年
- 主要对影响锗单晶抛光后表面微粗糙度的关键因素—抛光液组分的作用进行分析。采用变量控制的实验方法,从活性剂、有机胺碱、氧化剂、硅溶胶磨料和螯合剂五个因素出发进行实验。针对粗糙度影响因素进行分析与优化,同时对抛光速率进行了分析,研究得出,抛光液组分中氧化剂浓度对CMP过程中锗衬底片表面微粗糙度及去除速率的影响最为显著。优化抛光液组分配比,在抛光速率基本满足工业要求(1.5μm/min)下,经过CMP后锗衬底表面微粗糙度可有效降到1.81 nm(10μm×10μm)。在最佳配比下,采用小粒径、低分散度(99%<82.2 nm)的硅溶胶磨料配制抛光液,其抛光效果明显优于采用大粒径、高分散度的硅溶胶磨料配制的抛光液。
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- 关键词：航空电子抛光液粗糙度
- 碱性条件下对铜—BTA的去除被引量：1
- 2013年
- 为有效去除铜片表面难溶的、具有复杂结构的铜-BTA,主要对铜片清洗过程中起关键作用的清洗液的组分和浓度进行了研究。采用自主研发的FA/O II型螯合剂作为清洗液,反复进行了大量实验。结果表明,当FA/O II型螯合剂体积分数为7.5%,清洗液pH值为10.05时,能有效去除铜-BTA和表面的其他颗粒物,接触角可降到28.5°,同时该清洗液不会在表面沾留和造成腐蚀,表面粗糙度可降到3.52 nm。此外,通过红外测试铜-BTA所在的波段,利用电化学工作站验证了铜-BTA膜的存在,并进一步验证了实验结果。通过与KOH配制的相同pH值的清洗液进行对比,接触角和表面粗糙度均无较大变化,从而确定FA/O II型螯合剂对铜-BTA的去除起主要作用。
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- 关键词：螯合剂接触角
