张政
- 作品数：5 被引量：9H指数：2
- 供职机构：南京电子器件研究所更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 利用空气桥技术实现InP基共振遂穿二极管器件被引量：2
- 2009年
- 优化设计了InGaAs/AlAs/InP共振遂穿二极管(RTD)材料结构,并用MBE设备在(100)半绝缘InP单晶片上生长了RTD外延材料。利用电子束光刻工艺和空气桥互连技术,制作了InP基RTD器件。并在室温下测试了器件的电学特性:峰值电流密度78kA/cm2,峰谷电流比(PVCR)为7.8。利用空气桥互连技术实现该类器件,在国内尚属首次。
- 韩春林邹鹏辉高建峰薛舫时张政耿涛陈辰
- 关键词：电子束光刻空气桥
- 基于50 nm AlN/GaN异质结的G波段放大器被引量：5
- 2019年
- 报道了基于50nm栅工艺的AlN/GaN异质结的G波段器件结果。在AlN/GaNHEMT外延结构上,采用电子束直写工艺制备了栅长50nm的"T"型栅结构。器件直流测试最大漏电流为2.1A/mm,最大跨导为700mS/mm;小信号测试外推其电流增益截止频率和最大振荡频率分别为180GHz及350GHz。采用该工艺制备的共面波导(CPW)结构的放大器工作电压6V,在162GHz小信号增益大于10dB。166GHz连续波峰值输出功率11.36dBm,功率密度达到684mW/mm,功率密度水平达到GaN器件在G频段的高水平。
- 张政焦芳吴少兵张凯李忠辉陆海燕陈堂胜
- 关键词：GAN高电子迁移率晶体管电子束直写功率放大器
- 具有136GHz的0.18m GaAs Metamorphic HEMT器件
- 2009年
- 应用电子束直写技术成功制作了栅长0.18μm的高性能In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As MHEMT。从工艺角度,结合器件的小信号等效电路的理论分析,优化了器件结构,特别是T形栅结构,从而减小了器件寄生参数,达到了较好的器件性能。最终制作的In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As MHEMT饱和电流达到275mA/mm,夹断电压-0.8V,在Vgs为-0.15V时的最大非本征跨导gm为650mS/mm,截止频率ft达到136GHz,最大振荡频率fmax大于120GHz。
- 康耀辉张政朱赤高剑锋
- 关键词：T形栅截止频率
- 窄脉冲状态下工作的新型光电阴极被引量：1
- 1992年
- 利用新工艺制备的光电阴极具有面电阻小、对窄脉冲响应速度快、重复性好的优点。输出脉冲电压、脉冲宽度得到明显的改善。新工艺系在氧化铝基底上制备三碱光电阴极。为了改善其性能,氧化锡基底改为网格人。实测了网格光电阴极的脉冲性能。在氧化锡基底上再附加1～5层氧化锑就可以制作CsRbN_(a2)KSb光电阴极。获得了150～250μA/cm左右的灵敏度。
- 李朝木李谷川张政贾文
- 关键词：光电阴极阴极摄象管
- 栅长90nm的晶格匹配InAlAs/InGaAs/InP HEMT被引量：1
- 2009年
- 文章报道了90nm栅长的晶格匹配InP基HEMT器件。栅图形是通过80kV的电子束直写的,并采用了优化的三层胶工艺。器件做在匹配的InAlAs/InGaAs/InPHEMT材料上。当Vds=1.0V时,两指75μm栅宽器件的本征峰值跨导达到720ms/mm,最大电流密度为500mA/mm,器件的阈值电压为-0.8V,截止频率达到127GHz,最大振荡频率达到152GHz。
- 高喜庆高建峰康耀辉张政
- 关键词：高电子迁移率晶体管INALAS/INGAAS
