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魏胜

作品数：1 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇锗硅
  • 1篇石墨
  • 1篇石墨烯
  • 1篇气相沉积
  • 1篇热稳定
  • 1篇热稳定性
  • 1篇化学气相
  • 1篇化学气相沉积
  • 1篇SI
  • 1篇CVD

机构

  • 1篇安徽大学
  • 1篇中国科学院微...

作者

  • 1篇李民权
  • 1篇彭猛
  • 1篇罗军
  • 1篇魏胜

传媒

  • 1篇半导体技术

年份

  • 1篇2015
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
在Si_xGe_(1-x)C_(0.02)衬底上直接生长石墨烯
2015年
基于锗衬底在石墨烯生长方面的自限制生长和表面催化特性,以甲烷(CH4)和氢气(H2)为前驱体,采用化学气相沉积(CVD)法分别在锗硅碳(SixGe1-xC0.02)(x=0.15,0.25,0.73)衬底和外延锗上直接生长石墨烯。研究了不同Si组分、H2与CH4体积流量比和生长温度对石墨烯质量的影响。利用光学显微镜(OM)、扫描电子显微镜(SEM)以及喇曼光谱对衬底和生长的石墨烯进行了表征分析。喇曼光谱结果表明,Si0.15Ge0.85C0.02衬底在750℃下可以生长出石墨烯,调节气体H2与CH4的体积流量比为50∶0.5时,生长出的石墨烯是双层的。OM和SEM结果表明,锗硅碳衬底具有比锗更好的热稳定性,高温下不会升华。
魏胜彭猛李民权罗军
关键词：石墨烯热稳定性
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