甘海波
- 作品数：7 被引量：0H指数：0
- 供职机构：中山大学物理科学与工程技术学院更多>>
- 发文基金：国家科技部专项基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术理学电子电信电气工程更多>>
- 六硼化镧纳米线阵列的环保型制备工艺及其发射特性研究
- 六硼化镧具有熔点高(2715℃)、导电性好、功函数低(2.66 eV)和热稳定性好等优异的物理特性,所以引起了研究者的广泛关注.而LaB6 纳米线与其体材料相比,具有更高的长径比和更低的表面功函数,因此在场发射领域更具优...
- 甘海波杨汛彭路希莫小姝陈军邓少芝许宁生刘飞
- 关键词：无毒CVD场发射
- Cu/Ni衬底上graphene的生长调控及其机制研究
- 作为一种新型的二维纳米材料,石墨烯表现出优异的电学及光学等物理特性,在太阳能电池、超级电容器等方面有很高的应用前景。而目前CVD法制备石墨烯过程中使用最多的衬底为Cu衬底,但是所制备的石墨烯薄膜由于存在与铜的热膨胀系数相...
- 莫小姝彭路希甘海波杨汛陈军邓少芝许宁生刘飞
- 关键词：石墨烯化学气相沉积边界层
- 文献传递
- 新型硼纳米线有序阵列的制备工艺及其场发射特性研究
- 硼作为第ⅢA 中惟一的一个非金属元素,具有低密度、高熔点、高负电阻温度系数以及高化学稳定性等优良特性,在高温半导体、场发射、微波和热电等领域都表现出了很好的应用前景.而与其体材料相比,硼纳米线材料由于还具有低的电子亲和势...
- 刘飞甘海波金顺玉陈军邓少芝许宁生
- 图案化氧化钨纳米线阵列的低温制备工艺及其场发射特性研究
- 2012年
- 氧化钨纳米线由于具有长径比较大、导电性好、阈值电场较低、可承受的电流较高等优点,因此在场致电子发射器件中受到人们的广泛关注。但是在氧化钨纳米结构研究发展的过程中,出现了一些技术难题,比如制备温度高(>800℃),制备的氧化钨通常混合多种化学相而导致物性不均匀等,所以束缚了氧化钨纳米线在场发射领域的快速发展。本文采用磁控溅射技术结合化学气相沉积技术在500℃下分别实现了高纯相的WO2和WO3纳米线阵列的定域生长。场发射特性研究结果表明:所制备的WO3纳米线阵列的开启电场低至0.65MV/m,阈值电场约为2.9MV/m,最大电流密度达到18.3A/cm2;WO2纳米线阵列的开启电场低至0.8MV/m,阈值电场为2.46MV/m,最大电流密度达到12.1mA/cm2。这表明在低温下制备的氧化钨纳米线阵列在场致电子发射领域具有非常广阔的应用前景。
- 刘飞郭同义李力李立方甘海波陈军邓少芝许宁生
- 关键词：场发射特性
- 六硼化镧纳米线阵列的环保型制备工艺及其发射特性研究
- 六硼化镧具有熔点高(2715℃)、导电性好、功函数低(2.66 eV)和热稳定性好等优异的物理特性,所以引起了研究者的广泛关注。而LaB_6纳米线与其体材料相比,具有更高的长径比和更低的表面功函数,因此在场发射领域更具优...
- 甘海波杨汛彭路希莫小姝陈军邓少芝许宁生刘飞
- 关键词：无毒CVD场发射
- 文献传递
- Cu/Ni衬底上graphene的生长调控及其机制研究
- 作为一种新型的二维纳米材料,石墨烯表现出优异的电学及光学等物理特性,在太阳能电池、超级电容器等方面有很高的应用前景.而目前CVD 法制备石墨烯过程中使用最多的衬底为Cu 衬底,但是所制备的石墨烯薄膜由于存在与铜的热膨胀系...
- 莫小姝彭路希甘海波杨汛陈军邓少芝许宁生刘飞
- 关键词：石墨烯化学气相沉积边界层
- 超长氮化铝纳米线阵列的定域合成及其光电导特性研究
- 刘飞甘海波莫小姝曹赟喆李立方陈军邓少芝许宁生
