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李雅淑

作品数:4 被引量:5H指数:2
供职机构:华中师范大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 2篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 2篇低压差
  • 2篇低压差线性稳...
  • 2篇信号
  • 2篇延时
  • 2篇时钟
  • 2篇时钟周期
  • 2篇瞬态响应
  • 2篇跳变
  • 2篇稳定性
  • 2篇稳压
  • 2篇稳压器
  • 2篇线性稳压器
  • 2篇校准
  • 2篇高稳定
  • 2篇高稳定性
  • 2篇SOI工艺
  • 2篇查表
  • 1篇电源抑制
  • 1篇电源抑制比
  • 1篇抑制比

机构

  • 4篇华中师范大学

作者

  • 4篇李雅淑
  • 3篇孙向明
  • 2篇许怒

传媒

  • 1篇电子设计工程

年份

  • 1篇2019
  • 2篇2018
  • 1篇2017
4 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
一种精确测量跳变沿到达时刻的方法和装置
本发明涉及一种精确测量跳变沿到达时刻的方法和装置,包括如下步骤:(1):校准:提供多个不同的标准到达时刻信号,对一个标准到达时刻信号进行多段延时,在标准特定时刻对每段延时后的信号进行电压采集并排列得到特征电压值组,得到其...
孙向明许怒李雅淑
文献传递
一种精确测量跳变沿到达时刻的方法和装置
本发明涉及一种精确测量跳变沿到达时刻的方法和装置,包括如下步骤:(1):校准:提供多个不同的标准到达时刻信号,对一个标准到达时刻信号进行多段延时,在标准特定时刻对每段延时后的信号进行电压采集并排列得到特征电压值组,得到其...
孙向明许怒李雅淑
基于0.13μm SOI CMOS工艺的高性能LDO设计被引量:2
2018年
基于电子设备对电源管理芯片的需求,本文设计了一种输出电压2.8 V,最大负载电流为50mA的高性能低压差线性稳压器(low-dropout regulator,LDO)。该LDO采用调整管栅极驱动技术,改善了负载瞬态响应,同时利用片外电容的等效串联电阻(Equivalent Series Resistance,ESR)补偿系统频率,保证了LDO的稳定性。在国产0.13μm Silicon-On-Insulation CMOS工艺上,实现了电路原理图和版图的设计,芯片面积(不包含PAD)为0.009 mm2。该LDO电路使用Cadence、Spectre等工具进行了仿真验证,仿真结果表明:输出电压为2.8 V,输出过冲小于8 mV,最大负载响应时间为2.1μs,相位裕度大于77°,低频时电源电压抑制比PSRR为-90 dB,负载调整率为53μV/mA,线性调整率为3.37 mV/V。
李雅淑高超嵩孙向明杨苹
关键词:低压差线性稳压器SOI工艺高稳定性瞬态响应电源抑制比
基于SOI工艺瞬态增强LDO的设计
随着便携式智能电子设备、智能家电、智能电网等领域的快速发展,市场对电源管理芯片的需求日益增大。低压差线性稳压器(Low Dropout Regulator,LDO)作为电源管理芯片的重要成员之一,以其功耗低、压差低、面积...
李雅淑
关键词:低压差线性稳压器高稳定性
文献传递
共1页<1>
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