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李佩旭

作品数：1 被引量：4H指数：1
供职机构：山东大学物理学院晶体材料国家重点实验室更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇热阻
  • 1篇激光
  • 1篇激光器
  • 1篇功率
  • 1篇半导体
  • 1篇半导体激光
  • 1篇半导体激光器
  • 1篇ZN扩散
  • 1篇ALGAIN...
  • 1篇高功率

机构

  • 1篇山东大学
  • 1篇山东华光光电...

作者

  • 1篇徐现刚
  • 1篇夏伟
  • 1篇李树强
  • 1篇马德营
  • 1篇李佩旭

传媒

  • 1篇人工晶体学报

年份

  • 1篇2009
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
Mg掺杂AlInP限制层窗口结构高功率(3.7W)660nm AlGaInP宽面半导体激光器被引量：4
2009年
本文采用低压金属有机化学气相沉积系统(LP-MOCVD)生长出Mg掺杂压应变分别限制多量子阱结构的AlGaInP/GaInP 660 nm LD外延材料,制作出腔长1000μm、条宽150μm的宽面半导体激光器。采用选择性Zn扩散在管芯两端面区制作出透明窗口结构来提高器件的腔面光灾变阈值(COD)。透明窗口结构激光器最大连续输出功率为3.7 W,是正常结构的激光器COD饱和功率的4.4倍。激光器的特征温度T0为68 K,热阻为4.6 K/W。在热沉温度为20℃时进行了500 mW恒功率老化,老化时间为1000 h。
马德营李佩旭夏伟李树强汤庆敏张新任忠祥徐现刚
关键词：ZN扩散热阻ALGAINP半导体激光器
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