姜理利
- 作品数：14 被引量：25H指数：4
- 供职机构：南京电子器件研究所更多>>
- 发文基金：微波毫米波单片集成电路与模块国家级重点实验室基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 改进K型单刀四掷射频MEMS开关
- 2023年
- 针对射频器件小型化以及5G通信发展的需求,设计了一款射频微机电系统(RF-MEMS)单刀四掷开关。该开关由一个改进型K型功分器和六个单刀单掷开关级联构成,并基于硅基MEMS工艺进行制造。其中,改进型K型功分器由多个Y型功分器串并联构成。改进的开关各端口具有插入损耗小和隔离度高的特点。最终流片的测试结果显示:该单刀四掷MEMS开关的插入损耗优于2.8 dB,隔离度优于29 dB。
- 芮召骏朱健黄镇姜理利
- 低应力掺钪氮化铝薄膜制备技术研究
- 2021年
- 分析了双层膜薄膜失效模型,提出了制备低应力掺钪氮化铝薄膜在薄膜体声波谐振器(FBAR)滤波器工艺中的必要性。利用反应溅射法制备掺钪氮化铝薄膜,并使用应力测试仪表征薄膜的力学性能,研究薄膜厚度、工艺时溅射功率、偏置功率以及工艺气压等参数对薄膜应力的影响,通过优化工艺参数制备了接近零应力的掺钪氮化铝薄膜。
- 王雷王冬蕊沈雁飞姜理利郁元卫黄旼
- 关键词：低应力
- 多种添加剂及电流密度对高径深TSV电镀影响研究被引量：4
- 2021年
- 硅通孔(TSV)填充工艺是三维集成关键技术之一。通过分析对比TSV电镀填充药水光亮剂、整平剂的浓度以及电流密度等对于TSV电镀填充效果的影响,发现在光亮剂浓度10 ml/L、整平剂浓度30 ml/L条件下,填充效果呈底部生长且形貌较好;同时发现电流密度较低时,呈等壁生长,而电流密度较高时,底部产生孔洞。
- 李杰王雷姜理利黄旼郁元卫张洪泽陈聪
- 关键词：添加剂电流密度
- 面向异质集成的Au-Sn、Au-In晶圆级键合被引量：4
- 2021年
- 针对高温(>300℃)及低温(<200℃)键合应用场景,提出了一种多沟槽键合结构,对键合参数、金属层厚度等方面进行优化,实现了基于Au-Sn键合、Au-In键合的三层GaAs-Si异质晶圆级堆叠。Au-Sn键合强度均大于293.10 MPa,键合区内观测到高强度、高可靠性的AuSn共晶组织。研究了单面In结构的Au-In扩散机理,提出不同阶段下Au-In扩散顺序及生成的金属间化合物。
- 吴焱刘鹏飞姜理利
- 硅膜RFMEMS开关被引量：2
- 2017年
- 利用静电驱动原理设计了一种新颖的射频硅膜RF MEMS开关,其开关的优点在于:巧妙的运用CPW传输线的地线作为下电极,加大了开关驱动面积,减小了驱动电压;利用硅膜作为结构层,利用硅本身优良的机械特性可提高开关的可靠性;具有静电接触式开关低频隔离度的优点。通过流片得到了满意的开关样品,测试结果表明:在DC-6 GHz频率范围内,开关的插入损耗小于0.5 dB,隔离度大于30 dB。
- 杜国平朱健郁元卫姜理利
- 关键词：开关硅膜
- 温度对悬臂梁静电驱动RF-MEMS开关性能的影响
- 2014年
- 介绍了温度对悬臂梁式RF-MEMS开关的影响。以南京电子器件研究所研制的悬臂梁式RF-MEMS开关为实验样品,常温下(25°C)先测定样品的驱动电压和射频特性,再将样品置于温度恒定的烘箱中热烘1h,取出后在常温条件下测定其机械形貌及电学性能。烘箱的温度从50°C变化到200°C,步进50°C。针对每个温度做一轮实验,最后将所得数据进行对比。实验结果表明,温度对于开关的射频性能影响极其微弱,但驱动电压对于温度却有较强的依赖性。分析认为,当温度变化时,悬臂梁结构的翘曲是影响驱动电压变化的主要因素。最后提出了几种可以提高结构温度稳定性的方法。
- 张沛然朱健姜理利
- 关键词：温度悬臂梁驱动电压
- 4位毫米波MEMS移相器被引量：4
- 2013年
- 报道了一款开关线型Ka波段MEMS移相器,采用了16只悬臂梁结构MEMS开关,实现了4位相移。采用阶梯阻抗共面波导(CPW)传输线设计,实现了一种新型而紧凑的移相器阻抗匹配的结构。采用RF MEMS低温表面牺牲层工艺,在高阻硅片上实现了单片4位MEMS移相器样品,在35GHz频点,平均插入损耗-5.8dB,16态相移误差≤8.5°,芯片尺寸5.3mm×2.9mm。分析MEMS移相器插损的构成,提出了降低MEMS移相器插损的工艺途径,预期Ka波段4位MEMS移相器的平均插损可降为-2.6dB,满足低成本毫米波MEMS相控阵系统应用需求。
- 郁元卫姜理利朱健
- 关键词：KA波段插入损耗
- 用于不同体态芯片互连的凸点制备及性能表征被引量：1
- 2021年
- 随着轻量化、小型化及模块功能多样化的发展,由二维平面到三维高度上的先进封装技术应运而生。微凸点作为实现芯片到圆片异构集成的关键结构,可有效缩短信号传输距离,提升芯片性能。利用电沉积法在Si基板上以Cu作支撑层、Ni作阻挡层淀积微米级别的Au/Sn凸点,所制得的多层凸点直径约60μm、高度约54μm,其高度可控、尺寸可调,并研究了Die内凸点高度的一致性,同时对凸点进行了剪切强度和推拉力测试。结果表明,Die内凸点高度均匀性≤2%,剪切力可达61.72 g以上,与化合物芯片(另一侧为Au)键合后推拉力可达7.5 kgf,可实现与化合物芯片的有效集成。
- 陈聪李杰姜理利吴璟张岩郁元卫黄旼黄旼
- 关键词：3D封装
- 一种晶圆级封装的MEMS数控衰减器
- 2023年
- 设计实现了一种晶圆级封装的三位MEMS数控衰减器,工作频段DC~15 GHz,衰减范围0~35 dB,步进5 dB。衰减器采用MEMS工艺实现,信号传输采用共面波导(CPW)结构,6个直接接触式悬臂梁MEMS开关对称放置实现不同衰减量的切换,每个开关带有三个触点,电阻网络采用T型结构,整个衰减器实现晶圆级封装。测试结果显示,DC~15 GHz频段内实现了8个衰减态,衰减器插入损耗小于1.7 dB,回波损耗小于-15 dB,衰减平坦度小于±5%,功耗几乎为零。芯片尺寸为2.7 mm×2.7 mm×0.8 mm。
- 孙俊峰姜理利刘水平郁元卫朱健黎明陈章余
- 关键词：数控衰减器晶圆级封装MEMS开关
- Ka波段0/Π MEMS移相器被引量：3
- 2012年
- 报道了一种Ka波段实时延MEMS移相器芯片。该移相器基于开关线式移相器设计原理,集成了4个MEMS三端口直接接触式毫米波开关单元,使用共面波导（CPW）传输线,利用阶梯阻抗的方式实现传输线拐角和CPW空气桥结构的传输线阻抗匹配。芯片采用RF MEMS表面牺牲层工艺制作在400μm厚的高阻硅衬底上,面积为1.4 mm×2.8 mm。测试显示,在34~36 GHz频率范围内,相移误差3.2°,插入损耗2 dB,反射损耗小于-15 dB。
- 郁元卫朱健姜理利施毅
- 关键词：KA波段
