齐国钧
- 作品数：2 被引量：1H指数：1
- 供职机构：华中科技大学电子科学与技术系更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 电场增强金属诱导侧向晶化制备多晶硅薄膜和薄膜晶体管被引量：1
- 2004年
- 采用电场增强金属诱导侧向晶化方法获得了结晶良好的多晶硅薄膜,拉曼光谱分析表明侧向扩散区域结晶效果最好,X射线衍射分析表明加电场于两电极之间有促进晶化的作用,可以得到结晶良好的多晶硅薄膜.采用该工艺制备了p沟道薄膜晶体管器件,其迁移率为65cm2/V·s,开关态电流比为5×106.
- 曾祥斌孙小卫李俊峰齐国钧
- 关键词：多晶硅薄膜金属诱导晶化薄膜晶体管
- 金属诱导晶化的实时电阻测量与监控
- 2004年
- 采用实时电阻测量方法实现了金属镍诱导晶化制备多晶硅薄膜的实时监控,实验中使用了两种样品,一种采用电场增强侧向晶化;另一种采用金属诱导侧向晶化.结果表明薄膜电阻值在高温下随晶化时间呈指数衰减,且具有很强的温度依赖关系.采用晶粒边界势垒模型解释了阻值衰减行为,分析计算了两种样品的阻值衰减规律.电场增强方式的时间常数比非电场增强方式小,表明加电场有促进晶化的作用.实时电阻测量方法可以用于金属诱导晶化动力学的研究,是一种简单实用的实时监控手段.
- 曾祥斌孙小卫李俊峰齐国钧
- 关键词：多晶硅薄膜金属诱导晶化实时电阻测量薄膜晶体管
