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韩广涛

作品数：1 被引量：0H指数：0
供职机构：华润上华科技股份有限公司更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇漂移区
  • 1篇击穿电压
  • 1篇DMOS
  • 1篇场板
  • 1篇N-C

机构

  • 1篇东南大学
  • 1篇华润上华科技...

作者

  • 1篇杨万青
  • 1篇李冰
  • 1篇韩广涛

传媒

  • 1篇电子与封装

年份

  • 1篇2008
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
与5V CMOS标准工艺兼容的20V N-CDMOS器件研究
2008年
文章主要介绍了在0.5μm5V CMOS标准制造工艺的基础上,不改变其工艺制造流程及其掺杂浓度,借助Synopsys模拟软件详细分析讨论了高压N-CDMOS器件的漂移区长度、沟道长度与击穿电压之间的关系,通过对各参数的模拟和实验设计,最终获得20V高压N-CDMOS最优化的器件结构与工艺参数。其制造工艺与现有5V低压工艺完全兼容,工艺简单、集成度高,可广泛应用于功率器件的芯片上。
杨万青李冰韩广涛
关键词：漂移区击穿电压场板
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共1页<1>
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