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张文勇
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1
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供职机构:
武汉大学物理科学与技术学院加速器实验室
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发文基金:
国家基础科学人才培养基金
国家自然科学基金
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相关领域:
理学
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合作作者
何庆
中国科学院上海应用物理研究所
文闻
中国科学院上海应用物理研究所
彭挺
武汉大学物理科学与技术学院加速...
彭国良
武汉大学物理科学与技术学院加速...
艾志伟
武汉大学物理科学与技术学院加速...
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作者
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郭立平
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离子注入制备Si_xMn_(1-x)稀磁半导体的X射线衍射
2010年
把1×1016/cm2的200keVMn离子注入p型Si单晶(100)片中,在N2气氛下进行600℃、700℃、800℃和900℃退火,制得SixMn1-x稀磁半导体。用同步辐射X射线衍射技术研究样品结构,发现Mn的注入和退火导致了Si结晶颗粒的产生,随退火温度升高,间隙位的Mn原子逐渐减少,替代位的Mn原子增加,同时晶格发生膨胀。间隙位和替代位Mn原子间的相互作用导致样品的铁磁性增强。
彭国良
李铁成
张文勇
彭挺
艾志伟
郭立平
何庆
文闻
关键词:
稀磁半导体
离子注入
X射线衍射
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