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向玉春

作品数：5 被引量：0H指数：0
供职机构：陕西师范大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 5篇氧化铜
  • 4篇脉冲激光
  • 4篇脉冲激光沉积
  • 3篇衬底
  • 2篇低电阻率
  • 2篇电阻率
  • 2篇载流子
  • 2篇载流子浓度
  • 2篇金属
  • 2篇金属锂
  • 2篇N型
  • 2篇掺杂
  • 2篇掺杂量
  • 1篇退火
  • 1篇加热温度
  • 1篇衬底温度
  • 1篇纯度

机构

  • 5篇陕西师范大学

作者

  • 5篇向玉春
  • 4篇李娟
  • 4篇高斐
  • 4篇郑逍遥
  • 4篇武慧君
  • 4篇胡西红
  • 2篇王皓石

年份

  • 1篇2018
  • 1篇2017
  • 3篇2016
共 5 条 记 录，以下是 1-5
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排序方式：
氧化铜薄膜的制备与掺杂研究
氧化铜(CuO)是一种重要的本征p型半导体材料,光学带隙为1.2-1.9 eV,储量丰富,制备成本低,无毒,其p-n结太阳能电池理论转换效率可以达到31%,是一种应用潜力很大的光伏材料。本征CuO薄膜的电学性能较差(低载...
向玉春
关键词：脉冲激光沉积衬底温度退火
文献传递
一种低电阻率、高载流子浓度的p型氧化铜薄膜的制备方法
本发明公开了一种低电阻率、高载流子浓度的p型氧化铜薄膜的制备方法，该方法选择掺杂锂的氧化铜作为脉冲激光沉积的靶材，通过选择合适的锂掺杂浓度，即可得到低电阻率、高载流子浓度的p型氧化铜薄膜，其中金属锂的掺杂量为2wt％时，...
高斐向玉春胡西红姜杰轩李娟武慧君郑逍遥
文献传递
一种n型氧化铜薄膜的制备方法
本发明公开了一种n型氧化铜薄膜的制备方法，该方法采用脉冲激光沉积技术，通过调整沉积腔室的氧气压强为8～12Pa、衬底加热温度为500～700℃，一步即可在衬底上形成n型氧化铜薄膜。本发明操作简单，所得n型氧化铜薄膜结晶性...
高斐胡西红向玉春王皓石郑逍遥武慧君姜杰轩李娟
文献传递
一种低电阻率、高载流子浓度的p型氧化铜薄膜的制备方法
本发明公开了一种低电阻率、高载流子浓度的p型氧化铜薄膜的制备方法，该方法选择掺杂锂的氧化铜作为脉冲激光沉积的靶材，通过选择合适的锂掺杂浓度，即可得到低电阻率、高载流子浓度的p型氧化铜薄膜，其中金属锂的掺杂量为2wt％时，...
高斐向玉春胡西红姜杰轩李娟武慧君郑逍遥
文献传递
一种n型氧化铜薄膜的制备方法
本发明公开了一种n型氧化铜薄膜的制备方法，该方法采用脉冲激光沉积技术，通过调整沉积腔室的氧气压强为8～12Pa、衬底加热温度为500～700℃，一步即可在衬底上形成n型氧化铜薄膜。本发明操作简单，所得n型氧化铜薄膜结晶性...
高斐胡西红向玉春王皓石郑逍遥武慧君姜杰轩李娟
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