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井亮

作品数：1 被引量：4H指数：1
供职机构：北京工业大学激光工程研究院更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划北京市人才强教计划项目更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇蓝宝
  • 1篇蓝宝石
  • 1篇蓝宝石衬底
  • 1篇激光
  • 1篇激光剥离
  • 1篇SEM分析
  • 1篇XPS分析
  • 1篇GAN
  • 1篇GAN薄膜
  • 1篇衬底

机构

  • 1篇北京工业大学

作者

  • 1篇方圆
  • 1篇郭霞
  • 1篇沈光地
  • 1篇刘斌
  • 1篇陈涛
  • 1篇王婷
  • 1篇井亮

传媒

  • 1篇激光与红外

年份

  • 1篇2007
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
激光剥离技术实现GaN薄膜从蓝宝石衬底移至Cu衬底被引量：4
2007年
在GaN薄膜表面电镀厚100μm的、均匀的金属铜作为转移衬底。采用激光剥离技术,在400mJ/cm2脉冲激光能量密度条件下,成功地将GaN薄膜从蓝宝石衬底转移至Cu衬底。激光剥离后Cu衬底上GaN薄膜的扫描电子显微镜(SEM)测试结果表明,电镀Cu衬底与GaN之间形成致密的结合,对GaN薄膜起到了很好的支撑作用。同时铜的延展性好,使得GaN薄膜内产生的应力得到有效释放,保持了剥离后GaN薄膜的完整性。激光剥离后GaN表面残留物的X射线光电子能谱(XPS)分析显示,激光辐照产生的金属Ga部分与空气中的氧结合形成Ga2O3,这是剥离后GaN表面后处理困难的原因,并给出了相应的解决方法。
方圆郭霞王婷刘斌沈光地井亮陈涛
关键词：GAN激光剥离SEM分析XPS分析
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共1页<1>
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