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低功耗2.45GHz射频识别模拟前端: 2014年; 采用台湾积体电路制造股份有限公司的0.18μm互补金属氧化物半导体混合信号工艺,设计出一种应用于2.45GHz的射频识别模拟前端芯片,并对射频识别芯片前端电路的关键性模块进行分析和改进,提出一种运用负温度系数电阻构成的带隙基准电路和一种运用延时电路来消除脉冲干扰的复位电路。仿真结果表明,所设计的射频前端芯片能够满足ISO 18000-4协议所提出的系统要求并且整体电路功耗小于1.5μW。; 张宝军高原张博贺刚; 关键词：射频识别低功耗 GHZ 射频前端

基于0.13μm CMOS工艺的功率放大器设计被引量：1: 2016年; 基于0．13μmCMOS工艺，设计13～15GHz带有分布式有源变压器的集成功率放大器。利用分布式有源变压器功率合成的特点，将其作为负载去匹配功放单元，采用共源共栅级与共源级级联的功放单元结构来提高功放单元的增益和输出功率；采用浮栅结构来减小分布式有源变压器和片上巴伦的插入损耗；功分器采用带栅格参考地的结构提高电路的性能。仿真结果表明，在13～15GHz频段，该功放的饱和输出功率为20dBm，功率附加效率为10％，功率增益为12．5dB，输出功率和功率增益有所提高，减小了插入损耗。; 张博原亚运贺刚; 关键词：互补金属氧化物半导体浮栅功率放大器

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贺刚