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文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 2篇铌酸锂
  • 1篇调制
  • 1篇调制器
  • 1篇行波电极
  • 1篇偏振
  • 1篇偏振消光比
  • 1篇陀螺
  • 1篇微波
  • 1篇消光
  • 1篇消光比
  • 1篇芯片
  • 1篇集成光学
  • 1篇光比
  • 1篇光纤
  • 1篇光纤陀螺
  • 1篇光学

机构

  • 2篇重庆光电技术...

作者

  • 2篇华勇
  • 2篇舒平
  • 1篇田自君
  • 1篇胡红坤
  • 1篇朱学军
  • 1篇张鸿举

传媒

  • 2篇半导体光电

年份

  • 1篇2014
  • 1篇2012
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
用于微波光子系统的铌酸锂集成电光调制器研究被引量:1
2012年
设计和制作了一种高速铌酸锂电光调制器。波导采用双Y定向耦合器型结构以提高线性度,同时能够提高工艺容差;电极采用CPW行波电极结构。通过分析比较不同相速匹配程度及微波损耗程度对电极系统带宽的影响,选择合适的设计参数及工艺参数,制作的调制器样品插入损耗为3dB,开关消光比为34dB,偏置电极半波电压为7V,行波电极半波电压为5.5V,电反射小于-10dB,6dB调制带宽约18GHz,可实现0~18GHz模拟调制。
舒平华勇张鸿举胡红坤
关键词:铌酸锂调制器行波电极
高芯片偏振消光比铌酸锂多功能集成光学器件被引量:2
2014年
分析了铌酸锂多功能集成光学器件的偏振消光机理,设计和制作了高芯片偏振消光比的铌酸锂多功能集成光学器件。器件采用切断部分输入直波导后在切断端面选择性镀阻光膜的结构以截断射入衬底的辐射光,与芯片耦合后实现了高于85dB的芯片偏振消光比。制作的器件插入损耗小于3.5dB,分光比为48/52~52/48,半波电压Vπ小于3.5V,尾纤偏振串音小于-33dB;在-55^+85℃全温范围内,损耗变化量小于0.2dB,分光比变化小于1%,尾纤偏振串音小于-27dB,能够满足工程化应用需要。
华勇舒平朱学军田自君
关键词:集成光学光纤陀螺铌酸锂
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