卢晓波
- 作品数：5 被引量：8H指数：2
- 供职机构：四川大学物理科学与技术学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术金属学及工艺理学更多>>
- 氦离子行为与钨中相关缺陷演化的研究被引量：2
- 2016年
- 本文通过离子注入向钨体中注入100keV氦离子,并使用慢正电子束分析(SPBA)手段研究了不同注量的氦在钨体内的行为以及氦相关缺陷的演化.实验结果表明:在不同的氦注量条件下,样品的S-W参数呈相同线性分布显示氦离子的注入会引入同一类型的空位型缺陷,并且随着氦离子注量增加,S参数的增大表明引入空位型缺陷浓度的逐渐增加.通过与其他未退火样品对比发现样品退火后的S参数出现明显改变,该结果表明相对于其他影响因素如注量,钨中空位型缺陷更容易受热效应的影响.
- 王勇吴双邓爱红王康王玲卢晓波张元元
- 关键词：钨离子注入氦
- He离子辐照金属钨引入缺陷的微结构研究被引量：3
- 2016年
- 采用能量为100keV的He离子在室温下辐照金属钨,辐照注量范围为1.4×1017-3.5×1017/cm2,辐照后对样品进行了1100℃退火处理.利用X射线衍射、慢正电子多普勒展宽和扫描电镜技术研究了钨中He离子辐照引入的缺陷和注量之间的关系.研究结果表明辐照并退火后材料内部晶面间距增大,空位型缺陷浓度或尺寸随辐照注量的升高而增大,而高注量辐照的样品表面晶粒间连接疏松并存在孔隙,钨表层可能生成了大尺寸的He空位复合体或He泡.
- 王康刘莉邓爱红王玲王勇卢晓波龚敏
- 关键词：钨氦正电子湮没
- 退火温度对钨中He相关缺陷演化影响的研究被引量：2
- 2018年
- 本文通过离子注入向钨体中注入能量为100keV氦离子,并利用X射线衍射(XRD)以及慢正电子束分析(SPBA)手段研究了不同退火温度下氦在钨体中的行为以及相关缺陷的演化.实验结果表明:低温退火并未改变相关缺陷的类型,样品S参数的下降表明低温退火导致了缺陷浓度的降低;当退火温度达到700℃时,样品S-W参数线性分布的变化表明缺陷类型逐渐发生改变;随着退火温度的进一步升高,He相关缺陷的演化程度加剧并向更深处迁移.
- 卢晓波刘莉郑明秀王康张元元邓爱红
- 关键词：钨氦离子注入慢正电子束
- 多能氦离子注入对W金属微结构的影响被引量：2
- 2017年
- 利用SEM和慢正电子束分析(SPBA)方法研究了不同注量的多能氦离子注入和注氦后不同温度退火的多晶W中He相关缺陷的演化机制。结果表明,W材料中由多能氦离子注入引入的空位型缺陷数目随着He+注量的升高而增大;220℃退火引起注氦W样品中的间隙W原子与空位的复合,降低了材料中的空位型缺陷数目;450℃和650℃退火的注氦W材料中形成了He泡,He泡尺寸与退火温度有关,650℃退火的样品中观测到直径达600 nm的大尺寸He泡和孔洞结构。
- 王康邓爱红龚敏卢晓波张元元刘翔
- 关键词：WHE正电子湮没
- 用正电子湮没谱学方法研究W-ZrC合金在高热/粒子流作用下微结构的变化
- 钨及其合金材料作为聚变堆装置中面临等离子体的重要候选材料,其在高热/粒子流作用下的损伤行为,不仅关系到材料的使用寿命,还会影响等离子的稳定性以及聚变反应堆装置的安全性,因此研究钨及其合金材料在高热/粒子流作用下的损伤行为...
- 卢晓波邓爱红王康张元元王玲
