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刘洪利

作品数:2 被引量:1H指数:1
供职机构:上海理工大学光电信息与计算机工程学院上海市现代光学系统重点实验室更多>>
相关领域:电子电信理学更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 2篇电化学腐蚀
  • 2篇多孔硅
  • 2篇晶体
  • 2篇化学腐蚀
  • 2篇光子
  • 2篇光子晶体
  • 1篇虚拟仪器
  • 1篇二维光子
  • 1篇二维光子晶体

机构

  • 2篇上海理工大学
  • 2篇中国科学院微...

作者

  • 2篇张轩雄
  • 2篇刘洪利
  • 1篇崔宗敏

传媒

  • 1篇半导体光电
  • 1篇光学与光电技...

年份

  • 1篇2013
  • 1篇2011
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
多孔硅制备的二维光子晶体生长过程监控
2011年
采用单槽电化学腐蚀法在预置有倒金字塔结构的n型单晶硅上制备用于二维光子晶体的多孔硅。利用基于LabVIEW的虚拟仪器技术对实验仪器编程,搭建实时测控系统,实现对反应过程中所需电源的控制,并且实时显示采集到的随时间变化的电压和电流信号,将采集的数据存储在计算机里。实验表明,恒电流供电模式下致使电压剧烈变动,导致多孔硅侧向腐蚀严重,然而,恒电压供电模式下,能够有效地抑制侧向腐蚀。
崔宗敏刘洪利张轩雄
关键词:二维光子晶体多孔硅电化学腐蚀虚拟仪器
用于光子晶体的多孔硅制备条件研究被引量:1
2013年
利用扫描电镜观察了不同电压强度、腐蚀液浓度条件下制备的用于二维光子晶体的多孔硅的微观形貌。研究表明在恒压供电模式下更有利于硅基二维光子晶体的制备;随着腐蚀电压强度的增长,孔径和孔深都呈现增长的趋势,增长的幅度逐渐减小,腐蚀效率比的增长幅度也有逐渐变小的趋势;随着腐蚀溶液浓度的减小,腐蚀速率在降低,但腐蚀效率比在增大,虽然多孔硅的生长速度变慢,但是多孔硅的质量更好。
莫瑞海刘洪利张轩雄
关键词:多孔硅电化学腐蚀
共1页<1>
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