范玉
- 作品数：3 被引量：2H指数：1
- 供职机构：南开大学电子信息与光学工程学院更多>>
- 发文基金：广东省科技计划工业攻关项目更多>>
- 相关领域：电气工程经济管理电子电信更多>>
- CIGS薄膜太阳电池Zn(O,S)缓冲层的优化
- Cu(In,Ga)Se2薄膜电池已经达到22.9%的效率[1 ],通常利用化学水浴法制备CdS薄膜作为CIGS电池的缓冲层.但由于CdS带隙较窄,同时部分国家限制Cd元素的使用,利用溅射法制备Zn(O,S)薄膜代替CdS...
- 史思涵范玉林舒平刘杨程世清张运祥何志超周志强刘芳芳孙云刘玮
- 关键词：射频磁控溅射
- 溅射制备Zn(O,S)薄膜及其在CIGS电池中的应用被引量：2
- 2017年
- 通过射频磁控溅射(MS)工艺,在不同溅射功率下制备Zn(O,S)薄膜,并将其应用于CIGS异质结器件结构中。采用XRD、XRF、台阶仪、透反射光谱仪、SEM以及wx AMPS仿真软件对Zn(O,S)薄膜以及MS-Zn(O,S)/CIGS异质结器件进行研究。结果表明,低功率条件下(<80 W),Zn(O,S)薄膜内S/Zn明显降低,带隙减小,所制备的微晶或非晶结构Zn(O,S)薄膜材料中生成闪锌矿结构Zn S(α-Zn S);高溅射功率下(>100 W),薄膜内S/Zn增加并趋于稳定,Zn(O,S)材料结晶性能改善,α-Zn S消失,带隙增加。器件仿真结果表明,低功率条件下,缓冲层与吸收层(AB)界面导带失调值(CBO)增大,空间电荷区(SCR)复合加剧;高功率条件下,器件品质因子升高明显,主要是由于高功率引起的异质结界面类受主缺陷浓度增加。
- 范玉李晓东林舒平张毅刘芳芳周志强孙云刘玮
- 关键词：射频磁控溅射CIGS
- 溅射法制备i-ZnO对CIGS电池的器件性能影响
- 基于 Cu(In,Ga)Se2 的薄膜太阳电池由于实验室效率的持续提升,近年来一直受到高 度关注.作为 CIGS 电池的最基本器件结构,Glass/Mo/CIGS/CdS/i-ZnO/AZO/Ni/Al/Ni结构 依然是...
- 林舒平刘玮张运祥范玉张毅刘芳芳周志强何青孙云
- 关键词：磁控溅射CIGS填充因子
