魏星
- 作品数：4 被引量：1H指数：1
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- 星载220 GHz分谐波混频器设计
- 2024年
- 为满足星载辐射计系统应用,提出了一款220 GHz次谐波混频器。基于平面GaAs肖特基二极管3D电磁模型,混频器电路和结构优化设计采用HFSS和ADS联合仿真实现。通过在50μm厚的石英基板上倒装反向并联二极管对以及采用纳米银胶将基板粘接在硅铝波导腔的工艺方式,设计并加工实现了一款210~240 GHz分谐波混频器,单边带最小变频损耗仿真结果为7.33 dB,实测变频损耗优于9.6 dB。按照某卫星规定的各项环境试验条件验证其在不同环境条件下的性能,结果证明该混频器试验前后一致性较好。
- 丁成魏星施永荣
- 关键词：太赫兹肖特基二极管
- 基站应用高线性高效率50 V GaN HEMT
- 2017年
- 报道了针对移动通信基站应用的GaN HEMT的研制。通过采用NiAu势垒,降低器件栅极漏电,从而提高器件击穿电压。同时通过优化V型栅,降低了峰值电场,提高器件击穿电压30%以上。GaN HEMT器件设计采用双场板结构,工艺采用0.5μm栅长,工作电压50V,在2.3~2.7GHz带内峰值输出功率280 W,功率附加效率>64%,线性度-30dBc@PAR=5dB,器件抗失配比(VSWR)至5∶1,器件性能可以满足未来基站多频段多载波应用需要。可靠性试验结果表明,研制的器件在150℃下平均工作寿命(MTTF)>4×10~6 h,满足系统应用需要。
- 陈韬陈志勇蒋浩魏星杨兴陈新宇李忠辉陈堂胜
- 关键词：氮化镓微波功率管场板
- 帽层结构对GaN HEMT器件性能的影响
- 2020年
- 为改善传统AlGaN/GaN HEMT器件的漏电大、击穿电压低、电流崩塌明显的问题,并进一步提升器件效率、增益等性能,在传统AlGaN/GaN HEMT器件的外延层表面分别生长了2 nm i-GaN和2 nm n-GaN/2 nm iGaN,得到非掺杂帽层结构和掺杂帽层结构。针对这两种帽层结构,研究对器件直流特性、微波特性及可靠性的影响,并与传统结构器件性能进行对比。非掺杂帽层器件的饱和电流、漏电水平、输出功率、功率附加效率以及高温、高电场、高电流稳定性均优于传统器件,但跨导与传统器件相当,微波压缩特性不足。而掺杂帽层器件漏电水平最好,但直流和微波性能不佳。
- 邵国键林罡白霖施尚周舟魏星刘柱陈韬
- 关键词：GAN高电子迁移率晶体管直流特性微波特性
- 60V工作P波段2500W GaN HEMT微波功率管被引量：1
- 2020年
- 基于高击穿的GaN HEMT工艺,报道了一款高功率高效率的GaN功率管及其匹配电路的设计与实现。对功率管进行预匹配,并采用同轴巴伦线和推挽电路完成对功率管的输入输出电路匹配设计,通过4胞高效合成及热沉设计,在工作电压60 V、工作脉宽300μs、工作比10%的条件下,实现410~485 MHz全频带2500 W功率输出、附加效率76%以上的高效高功率功率管,器件在驻波比大于5∶1时仍稳定工作。
- 周书同唐厚鹭王琪陈韬魏星彭大青陈堂胜
- 关键词：P波段高功率
