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邢琨

作品数：12 被引量：1H指数：1
供职机构：合肥工业大学更多>>
相关领域：电子电信一般工业技术自动化与计算机技术金属学及工艺更多>>

合作作者

文献类型

  • 11篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 2篇电子电信
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 5篇氮化镓
  • 4篇上网
  • 4篇片上网络
  • 4篇网络
  • 4篇蓝宝
  • 4篇蓝宝石
  • 3篇氮化
  • 3篇氮化铝
  • 3篇发光
  • 3篇高温
  • 3篇成核
  • 2篇氮化镓材料
  • 2篇电路
  • 2篇氧化硅薄膜
  • 2篇输出数据
  • 2篇数据包
  • 2篇双膜
  • 2篇通信
  • 2篇通信机制
  • 2篇通信节点

机构

  • 12篇合肥工业大学

作者

  • 12篇邢琨
  • 7篇欧阳一鸣
  • 7篇梁华国
  • 2篇王晓蕾
  • 2篇杜高明
  • 2篇李建华
  • 2篇姜兆能
  • 1篇王俊
  • 1篇王秀娟
  • 1篇吴春艳
  • 1篇曹洁
  • 1篇李梦影

传媒

  • 1篇电子技术与软...

年份

  • 1篇2025
  • 2篇2023
  • 1篇2021
  • 1篇2020
  • 2篇2019
  • 5篇2017
共 12 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种氮化镓基纳米柱阵列的制备方法
本发明涉及一种氮化镓基纳米柱阵列的制备方法，所述氮化镓基纳米柱阵列的制备方法包括以下步骤：步骤A：在一衬底上依次形成氮化铝层、氮化镓薄膜层；步骤B：在所述氮化镓薄膜层上镀二氧化硅薄膜层；步骤C：在所述二氧化硅薄膜层上蒸镀...
邢琨梁华国欧阳一鸣
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一种氮化镓基纳米柱阵列的制备方法
本发明涉及一种氮化镓基纳米柱阵列的制备方法，所述氮化镓基纳米柱阵列的制备方法包括以下步骤：步骤A：在一衬底上依次形成氮化铝层、氮化镓薄膜层；步骤B：在所述氮化镓薄膜层上镀二氧化硅薄膜层；步骤C：在所述二氧化硅薄膜层上蒸镀...
邢琨梁华国欧阳一鸣
氮化镓基蓝绿光LED和固态光源进展被引量：1
2017年
我国的发光二极管(LED)技术从1960年代开始起步,并以Ⅲ-Ⅴ族的化合物半导体为基础发展起来,到目前已经发展成为规模庞大的产业。在1990年代以前LED缺少蓝光发光二极管和纯绿光发光二极管,因此在1990年代LED的研究当中融入了氮化镓的研究,并利用GaN器件的应用弥补了这一不足之处,成为了极具市场潜力的技术。本文试从发光二极管的发展历程梳理来探讨氮化镓基和固态光源的发展进程。
邢琨李梦影曹洁
关键词：氮化镓GAN器件固态光源
一种应用于片上网络中级数可变的重排序电路及方法
本发明公开了一种应用于片上网络中级数可变的重排序电路及方法，其电路包括，一个终级重排序电路和n个次级重排序电路；终级重排序电路设置在片上网络的计算节点与通信节点之间；次级重排序电路设置在片上网络任意两个通信节点之间；终级...
李桢旻杜高明范人士王晓蕾邢琨邓宸
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一种基于二维网格的无线片上网络的通信机制
本发明公开了一种基于二维网格的无线片上网络的通信机制，包括：1、通过在数据包头部路由信息中增加标志位来标记数据包的发送方式；2、判断所传输的数据包为长距离数据包还是短距离数据包，并为数据包安排不同的路由路径传输数据包。本...
欧阳一鸣杨剑峰邢琨姜兆能梁华国李建华
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一种氮化铝复合缓冲层及制备方法及氮化镓基半导体器件
本发明涉及一种氮化铝复合缓冲层及制备方法及氮化镓基半导体器件，所述氮化铝复合缓冲层包括：高温氮化铝成核层、高温氮化铝多孔层和脉冲供应高温氮化铝层，所述高温氮化铝成核层镀在蓝宝石衬底上，所述高温氮化铝多孔层镀在高温氮化铝成...
邢琨梁华国欧阳一鸣
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一种通过F基等离子体处理提升AlGaN/GaN基紫外光电探测器性能的方法
本发明公开了一种通过F基等离子体处理提升AlGaN/GaN基紫外光电探测器性能的方法，是利用F基等离子体轰击AlGaN/GaN基紫外光电探测器，在AlGaN势垒层引入强电负性的F<Sup>‑</Sup>离子，降低二维电子...
吴春艳周昆楠王俊王秀娟邢琨
一种氮化铝复合缓冲层及氮化镓基半导体器件
本实用新型涉及一种氮化铝复合缓冲层及氮化镓基半导体器件，所述氮化铝复合缓冲层包括：高温氮化铝成核层、高温氮化铝多孔层和脉冲供应高温氮化铝层，所述高温氮化铝成核层镀在蓝宝石衬底上，所述高温氮化铝多孔层镀在高温氮化铝成核层上...
邢琨梁华国欧阳一鸣
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一种应用于片上网络中级数可变的重排序电路及方法
本发明公开了一种应用于片上网络中级数可变的重排序电路及方法，其电路包括，一个终级重排序电路和n个次级重排序电路；终级重排序电路设置在片上网络的计算节点与通信节点之间；次级重排序电路设置在片上网络任意两个通信节点之间；终级...
李桢旻杜高明范人士王晓蕾邢琨邓宸
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基于原位SiN<SUB>x</SUB>插入层的半极性氮化镓基LED
本发明公开了基于原位SiN<SUB>x</SUB>插入层的半极性氮化镓基LED，其结构是在蓝宝石衬底上从下至上依次沉积有：AlN缓冲层，u‑GaN层，SiN<SUB>x</SUB>插入层，u‑GaN层，n‑GaN层，多层...
邢琨潘正伟王海峰曾鸿江小龙金政贤
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